募集要項
- 仕事内容
-
【ポジション概要】
携帯電話基地局向けGaN HEMT（窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ）のデバイス技術エンジニアを募集します。
試作デバイスの特性評価とフィードバックを通じて、プロセス技術者・生産技術者と協議しながら、量産デバイスの特性最大化・歩留改善・製品化まで伴走いただきます。
【具体的な仕事内容】
■主な業務
・試作デバイスの特性評価（高周波特性、DC特性、信頼性）とフィードバック
・デバイス特性の作り込み・歩留改善に向けたプロセス技術者・生産技術者との協議
・量産立ち上げ、不具合解析、品質安定化
・顧客要求仕様に応じたデバイス特性の最適化
■扱う技術領域
・化合物半導体：GaN、AlGaN、AlN、GaN on SiC 等
・デバイス構造：HEMT構造、フィールドプレート、ゲート絶縁膜 等
・応用：ポスト5G基地局向けパワートランジスタ
■開発フロー（目安）
顧客／社内からの要求仕様 → デバイス評価 → プロセス技術連携 → 試作 → 評価 → 製品化・量産展開
【期待する役割・ミッション】
GaN HEMTまたは類似の化合物半導体高周波デバイス領域で長年培われた専門性を活かし、スペシャリストとして手を動かしながら、若手エンジニアを指導していただくことを期待しています。
【キャリアパス】
入社後は部のテクニカル・エキスパートとして、GaN HEMTデバイスの製品開発・量産展開に深く関わっていただきます。
電機メーカーやデバイスメーカーでの知見を継続してスペシャリストとして生かしたい方、UIターンで山梨での落ち着いた開発環境をお求めの方に適したキャリア形成が可能です。
【組織構成】
電子デバイス事業部 電子デバイス開発部
GaN HEMTのデバイス技術開発、顧客向け製品開発、高周波パッケージ開発などの機能を擁し、各領域が連携しながら開発を進めています。本ポジションは、GaN HEMTのデバイス技術開発を担う領域への配属を想定しています。山梨事業所を主な拠点としています。
30代・40代前半のメンバーも多数在籍しており、世代を超えたコミュニケーションが活発な職場です。
【本ポジションの魅力】
■技
- 応募資格
-
- 必須
-
【必須条件（MUST)】
下記いずれかに該当する10年以上の実務経験をお持ちの方
■GaN HEMT、GaAs HEMT等の化合物半導体高周波デバイスの設計・開発経験
■化合物半導体の結晶成長(MOCVD等)またはプロセス開発の実務経験
■RFパワートランジスタ(LDMOS、GaN含む)の設計・特性評価の実務経験
■上記に類する半導体デバイス開発のシニアスペシャリスト経験
【歓迎条件（WANT)】
下記いずれか満たす方は特に歓迎いたします
■国内外の基地局ベンダー、RFデバイスメーカー、総合電機メーカー等でご活躍されてきた方
■UIターンで山梨勤務をご希望の方
■プレイングリーダーとして若手指導のご経験がある方
■英語または中国語での技術コミュニケーション能力
【求める人物像】
■物性・構造・プロセス・評価・顧客要求の連携をコミュニケーションしながら進められる方
■電子デバイスを「材料・物性・通信などの総合格闘技」として楽しめる方
■腰を据えて取り組める方(じっくりチャレンジできる環境です)
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 山梨県
- 年収・給与
- 450～800万円
