募集要項
- 仕事内容
-
【ポジション概要】
携帯電話基地局向けGaN HEMT（窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ）のデバイス技術エンジニアを募集します。
試作デバイスの特性評価とフィードバックを通じて、プロセス技術者・生産技術者と協議しながら、量産デバイスの特性最大化・歩留改善・製品化まで伴走いただきます。
【具体的な仕事内容】
■主な業務
・試作デバイスの特性評価（高周波特性、DC特性、信頼性）とフィードバック
・デバイス特性の作り込み・歩留改善に向けたプロセス技術者・生産技術者との協議
・量産立ち上げ、不具合解析、品質安定化
・顧客要求仕様に応じたデバイス特性の最適化
■扱う技術領域
・化合物半導体：GaN、AlGaN、AlN、GaN on SiC 等
・デバイス構造：HEMT構造、フィールドプレート、ゲート絶縁膜 等
・応用：ポスト5G基地局向けパワートランジスタ
■開発フロー（目安）
顧客／社内からの要求仕様 → デバイス評価 → プロセス技術連携 → 試作 → 評価 → 製品化・量産展開
【期待する役割・ミッション】
入社後、教育体系と現場OJTを通じてGaN HEMTのデバイス設計・プロセス連携のスキルをキャッチアップしていただき、数年後には部の中核エンジニアとしてご活躍いただくことを期待しています。
基礎学問の素養をお持ちであれば、同社事業領域(化合物半導体・高周波デバイス)が未経験であっても問題ございません。
【キャリアパス】
同社は新卒採用を通じた若手エンジニア育成の経験が豊富で、その知見を活かしてキャリア入社のポテンシャル層の育成にも自信があります。入社後は、住友電工グループ全社の教育プログラム、部内の技術教育、OJTを組み合わせた育成体系のなかで、数年かけて一人前のエンジニアへと成長していただきます。適性に応じて、将来的には技術リーダー層へのキャリアパスも開かれています。
【組織構成】
電子デバイス事業部 電子デバイス開発部
GaN HEMTのデバイス技術開発、顧客向け製品開発、高周波パッケージ開発などの機能を擁し、各領域が連携しながら開発を進めています。
本ポジションは、GaN HEMTのデバイス技術開発を担う領
- 応募資格
-
- 必須
-
【必須条件（MUST)】
下記いずれかに該当する方
■基礎学問の素養をお持ちの方：大学または大学院で物理・物性／電気工学／電子工学／応用物理等を専攻された方(社会人経験が同領域の開発以外、例えば品質保証・開発購買・異分野の開発等であっても、基礎知識のキャッチアップ意欲があれば対象)
■化合物半導体／高周波デバイス関連の実務経験をお持ちの方：GaN／GaAs／SiC等のデバイス開発、結晶成長、プロセス開発、高周波評価いずれかのご経験
■研究経験をお持ちの方：化合物半導体・高周波デバイス・半導体物性に関する修士・博士論文テーマ、ポスドク経験
【歓迎条件（WANT)】
下記いずれか満たす方は特に歓迎いたします
■半導体デバイス(Si、化合物問わず)の設計・評価・プロセス経験
■高周波(GHz帯)測定、電磁界シミュレーション(ADS、MWO等)の経験
■英語または中国語による技術文書読解・コミュニケーション能力
【求める人物像】
■物性・構造・プロセス・評価・顧客要求の連携をコミュニケーションしながら進められる方
■電子デバイスを「材料・物性・通信などの総合格闘技」として楽しめる方
■腰を据えて取り組める方(じっくりチャレンジできる環境です)
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 山梨県
- 年収・給与
- 450～800万円
