募集要項
- 仕事内容
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【仕事内容】
【ポジション概要】
5G/6G基地局向けGaN-HEMTデバイスの性能を左右するエピタキシャル結晶成長の技術開発および量産展開を担うポジションです。MOCVD等を用いた結晶成長プロセスの開発から、量産ラインへの展開までを一貫してご担当いただきます。
【具体的な仕事内容】
【主な業務】
■GaN系化合物半導体のエピタキシャル結晶成長プロセスの技術開発
■MOCVD等を用いた結晶成長条件の最適化
■新製品・新構造に対応する結晶成長技術の確立
■量産ラインへの技術展開・歩留まり安定化
■結晶品質の評価・解析
【業務の特徴】
■エピタキシャル結晶成長を担うチームに配属。技術開発と量産展開の両面に携われます。
■プロセス開発やデバイス設計との連携が日常的にあり、エピ技術がデバイス性能にどう影響するかが直接見える環境です。
【期待する役割・ミッション】
GaN-HEMTトランジスタのエピタキシャル結晶成長における技術開発と量産展開の中核メンバーとしてご活躍いただくことを期待しています。
【キャリアパス】
入社後、OJTを通じて同社固有の技術にキャッチアップいただき、数年後には担当領域の技術リーダーとしてご活躍いただけるよう成長を期待しています。
部門間異動の自由度が高く、ユニットプロセス → プロセスインテグレーション→ エピ成長技術→ モデリングなど、ご志向に応じて幅広いキャリアパスが選択可能です。各要素技術のスペシャリストとして深めるキャリアと、リーダー・課長クラスとして全体を見る力を養うキャリアの両方が開かれています。
【組織構成】
電子デバイス事業部 プロセス開発部
GaN-HEMTのプロセス開発を担う部門です。プロセスインテグレーション、ユニットプロセス開発、エピタキシャル結晶成長、モデリング・シミュレーション、素子設計・レイアウトといった要素技術機能が一つの部に集約されており、材料からトランジスタまで垂直統合された体制で機動的に技術開発を進めています。
部門間の垣根を越えた会話がしやすく、隣の技術領域で自分の成果がどう使われるかが見えやすい環境です。
【本ポジションの魅力】
【事業面の魅力】
- 応募資格
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- 必須
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【必須条件（MUST)】
下記いずれかに該当する方
■化合物半導体（GaN、GaAs等）のエピタキシャル結晶成長経験をお持ちの方
■MOCVD、MBE等による結晶成長技術のご経験をお持ちの方
■半導体業界での経験があり、結晶成長技術に関心をお持ちの方（再教育可能）
【歓迎条件（WANT)】
下記いずれか満たす方は特に歓迎いたします
■GaN-HEMT向け結晶成長の開発経験
■高周波デバイスに関する知識
■量産展開・歩留まり改善のご経験
■結晶品質の評価・解析技術のご経験
【求める人物像】
■化合物半導体の技術開発に興味を持ち、5G/6G時代の通信インフラを支える仕事にやりがいを感じられる方
■上流から下流まで全体を見渡しながら開発に取り組みたい方
■チームで協力しながら粘り強く課題解決に取り組める方
■腰を据えて長期的にキャリアを築きたい方
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 神奈川県
- 年収・給与
- 450～800万円
