募集要項
- 仕事内容
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【仕事内容】
【ポジション概要】
5G/6G基地局向けGaN-HEMTデバイスの製造に用いる半導体ウェハプロセスの開発を担うポジションです。個々のユニットプロセス（成膜、エッチング、フォトリソ等）の加工条件開発から、複数のプロセスを統合して製品化するインテグレーション業務まで、応募者のご経験に応じて幅広くご担当いただきます。
【具体的な仕事内容】
【主な業務】
■GaN-HEMTトランジスタ用ウェハプロセスの開発（成膜、エッチング、フォトリソ等）
■ユニットプロセスの加工条件開発・最適化
■複数プロセスのインテグレーション（製品別の技術統合）
■新規顧客要求・新製品に対応するプロセス開発
【業務の特徴】
■プロセスインテグレーションとユニットプロセス開発の両方の領域があり、ご経験に応じた配属が可能です。
■結晶成長やデバイス設計との連携が日常的にあり、自分の技術が製品にどう活きるかが見えやすい環境です。
【期待する役割・ミッション】
GaN-HEMTトランジスタのウェハプロセス開発における中核メンバーとしてご活躍いただくことを期待しています。応募者のスキル・ご経験に応じて、ユニットプロセスのスペシャリストまたはインテグレーションのリーダーとして柔軟に役割をご相談します。
【キャリアパス】
入社後、OJTを通じて同社固有の技術にキャッチアップいただき、数年後には担当領域の技術リーダーとしてご活躍いただけるよう成長を期待しています。
部門間異動の自由度が高く、ユニットプロセス → プロセスインテグレーション → エピ成長技術 → モデリングなど、ご志向に応じて幅広いキャリアパスが選択可能です。
各要素技術のスペシャリストとして深めるキャリアと、リーダー・課長クラスとして全体を見る力を養うキャリアの両方が開かれています。
【組織構成】
電子デバイス事業部 プロセス開発部
GaN-HEMTのプロセス開発を担う部門です。プロセスインテグレーション、ユニットプロセス開発、エピタキシャル結晶成長、モデリング・シミュレーション、素子設計・レイアウトといった要素技術機能が一つの部に集約されており、材料からトランジスタまで垂直統合された体制で機動的に技術開発を
- 応募資格
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- 必須
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【必須条件（MUST)】
下記いずれかに該当する方
■化合物半導体（GaN、GaAs等）のウェハプロセス開発経験をお持ちの方
■シリコン半導体、LED、SiC等のウェハプロセス開発経験をお持ちの方
■半導体製造装置メーカーでのプロセス技術開発経験をお持ちの方
【歓迎条件（WANT)】
下記いずれか満たす方は特に歓迎いたします
■GaN-HEMTの開発経験
■高周波デバイスに関する知識
■プロセスインテグレーションのご経験
■量産立ち上げ・歩留まり改善のご経験
【求める人物像】
■化合物半導体の技術開発に興味を持ち、5G/6G時代の通信インフラを支える仕事にやりがいを感じられる方
■上流から下流まで全体を見渡しながら開発に取り組みたい方
■チームで協力しながら粘り強く課題解決に取り組める方
■腰を据えて長期的にキャリアを築きたい方
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 山梨県
- 年収・給与
- 450～800万円
