募集要項
- 仕事内容
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【仕事内容】
【ポジション概要】
化合物半導体光デバイスのプロセス技術開発、特にMOCVDを用いたエピタキシャル結晶成長を中心とするエンジニアを募集します。量子井戸構造や三次元構造の成長技術を開発し、光素子設計部と連携して新製品の開発・特性改善を牽引していただきます。
【具体的な仕事内容】
【主な業務】
■MOCVD装置を用いたエピタキシャル結晶成長プロセスの開発・最適化
■量子井戸などの複雑な結晶構造の成長制御
■平坦成長 → 部分エッチング → 再成長という化合物半導体特有の三次元構造形成プロセス開発
■スパッタリング、エッチング等の電極形成プロセス技術
■光素子設計部との連携による、設計起点のプロセス課題解決
【技術的な特徴】
■化合物半導体（InP、GaAs系）はシリコン半導体と異なり三次元構造を持つため、独自の成長技術が必要
■MOCVD装置による結晶成長が最終的なデバイス特性の約9割を決定する最重要工程
【現在の主要開発領域（光素子設計部と同じ製品群のプロセス立ち上げ）】
■次世代EML（200G～400Gb/s）
■高出力・低消費電力CWレーザ
■長距離対応波長可変レーザ
【期待する役割・ミッション】
エピ成長の巧拙がデバイス特性の大半を決めるこの事業において、与えられた材料系のなかで最適解を導くプロセスエンジニアとしての活躍を期待します。光素子設計部と連携しながら、次世代デバイスのプロセスを立ち上げ、量産部門への移管まで牽引する中核メンバーとしての役割を担っていただきます。
【キャリアパス】
実力と適性に応じて、入社数年で重要プロジェクトの中心メンバーとして任される文化があります。数年目で若手の指導役を担うサイクルが回り始めており、育成役を通じて部のテクニカルリードへと成長するキャリアが描けます。
【組織構成】
プロセス開発部（人数：部長含め30名体制）
■第一開発課：16名（山梨４名、横浜12名）
■第二開発課：13名（山梨７名、横浜６名）
今後山梨が主力となる傾向がありますが、製造装置・ラボは両拠点にあり、拠点間出張によるフレキシブルな運用が可能です。
年齢構成は光素子設計部と同
- 応募資格
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- 必須
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【必須条件（MUST)】
下記いずれかに該当する実務または研究経験をお持ちの方
■光半導体デバイスの結晶成長またはプロセス開発経験：半導体レーザ、LED、受光素子、光変調器など
■化合物半導体の結晶成長またはウェハプロセス開発経験：InP、GaAs、GaN、SiC等の結晶成長（MOCVD／MBE／HVPE等）またはウェハプロセス開発経験。用途不問（パワー半導体、RFデバイス、化合物太陽電池など）
■研究経験：光通信・光デバイス・化合物半導体のいずれかに関する研究経験（修士・博士論文テーマ、ポスドク経験を含む）
【歓迎条件（WANT)】
下記いずれか満たす方は特に歓迎します
■MOCVD装置の操作・プロセスレシピ開発経験
■量子井戸構造の成長制御経験
■再成長・埋め込み成長など三次元構造形成経験
■LED開発経験
■光電変換材料など化合物半導体関連材料の開発経験（材料メーカー出身）
■シリコンフォトニクス開発経験
【求める人物像】
■普通に解けない問題に粘り強く取り組める方（簡単に諦めない姿勢）
■一方で、筋の悪いアプローチは早期に見切れるバランス感覚をお持ちの方
■多様な要素技術・部門と協働するため、横連携・コミュニケーションを楽しめる方
■「わいがや」で相談しながら仕事を進めることを心地よく感じる方
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 神奈川県
- 年収・給与
- 450～800万円
