募集要項
- 仕事内容
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【ポジション概要】
光ファイバ通信用光半導体デバイス（EML、CWレーザ、波長可変レーザ、半導体光アンプ等）の構造設計・評価を担うエンジニアを募集します。顧客要求仕様をベースに、量子井戸構造・屈折率分布・共振器長などの設計を行い、試作・評価を経て製品化まで一貫して関わっていただきます。
【具体的な仕事内容】
【主な業務】
■光半導体デバイスの構造設計（量子井戸の材料組成・深さ・幅、屈折率分布、共振器長などの最適化）
■シミュレーションおよび古典的手法を組み合わせた特性設計（自作プログラム／市販ソフトを活用）
■試作品の特性評価・信頼性評価
■プロセス開発部との協働によるプロセス課題の解決
■製品開発部経由で届く顧客要求仕様との整合、設計アウトプットの調整
【現在の主要開発領域】
■EML（変調器集積レーザ）：現行100Gb/s → 直近目標200Gb/s → 将来300～400Gb/s
■CWレーザ：AIデータセンタ向けの高出力化と低消費電力化の両立
■波長可変レーザ：データセンタ間コヒーレント通信向け（~120km対応）
【必要な専門知識】
量子力学／光学・光工学／半導体デバイス物理（PN接合、電界吸収、干渉効果）／電気・電子工学／応用物理
【開発フロー（目安）】
顧客仕様提示 → 設計 → 試作・評価 → 製造部門への移管 → 量産 （仕様提示から納品まで約2年）
【期待する役割・ミッション】
光ファイバ通信用光半導体デバイスではInGaAsP系の材料が用いられており、与えられた材料を「使い倒す」設計によってコストと性能の両立を極めることを期待します。次世代EMLの高速化、CWレーザの高出力・低消費電力化、波長可変レーザの長距離対応など、5～10年先の事業の柱となるデバイスを設計する中核メンバーとしての活躍を求めています。
【キャリアパス】
実力と適性に応じて、入社数年で重要プロジェクトの中心メンバーとして任される文化があります（現任部長自身が入社1年目のPJで製品化を実現）。数年目で若手の指導役を担うサイクルが回り始めており、育成役を通じて部のテクニカルリードへと成長するキャリアが描けます。
【組織構成】
光素子設計部（部長含め17
- 応募資格
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- 必須
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【必須条件（MUST)】
下記いずれかに該当する実務または研究経験をお持ちの方
■光半導体デバイスの作り手としての経験：半導体レーザ、LED、受光素子、光変調器などの構造設計または開発経験
■光半導体デバイスの使い手としての経験：通信機器メーカー、通信モジュール／光トランシーバメーカー、光通信システムメーカー、光計測機器メーカー等のユーザーサイドで、光デバイスを組み込んだ製品の設計・開発・評価を担当された経験
■研究経験：光通信・光デバイス・化合物半導体のいずれかに関する材料・プロセス・構造・測定・物性いずれかの研究経験（ポスドク、修士・博士論文テーマを含む）
【歓迎条件（WANT)】
下記いずれか満たす方は特に歓迎します
■EML、CWレーザ、波長可変レーザ、半導体光アンプ等、高速光通信デバイスの設計経験
■量子井戸構造、電界吸収型変調器、DFBレーザの設計経験
■MOCVD等によるエピタキシャル結晶成長の知見
■光通信システム・光ネットワーク設計の経験
【求める人物像】
■普通に解けない問題に粘り強く取り組める方（簡単に諦めない姿勢）
■一方で、筋の悪いアプローチは早期に見切れるバランス感覚をお持ちの方
■多様な要素技術・部門と協働するため、横連携・コミュニケーションを楽しめる方
■「わいがや」で相談しながら仕事を進めることを心地よく感じる方
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 神奈川県
- 年収・給与
- 450～800万円
