募集要項
- 募集背景
- IGBT製品事業拡大のため、日本開発センターの人員増強のための募集です。
- 仕事内容
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中国の揚州に本社を置く半導体メーカー(IDM)の日本支社で、IGBTデバイスの開発・設計業務をお任せします。【具体的には】
配属先となる日本支社 開発センターは少数精鋭チームのため、各人が大きな裁量をもって働けます。
●外部Fabを活用したIGBTチップ開発
●TCADを用いたデバイス／プロセス設計
●構造検討・レイアウト設計
●プロセスインテグレーション
●前工程の量産管理
●素子試作評価・分析解析 など
※業務内容はご経験に応じて柔軟に決定いたします
※業務により中国への出張が発生する可能性があります
（3ヶ月に1～2週間程度／出張ベース）
【YJテクノロジージャパン株式会社について】
中国の揚州に本社を置く半導体メーカー(IDM)の日本支社となります。
2023年にはパワー半導体の世界売上シェアで第10位を記録。
整流ダイオード分野においては世界TOPのシェアを誇り、近年は、PowerMOS・ IGBT・ SiC製品の強化を行っています。
日本法人では、180nm級プロセス技術を採用したIGBTの開発を推進。
日本でプロセス技術を開発し、中国の300mmウエハー工場で製造、今年5月より日本からサンプル出荷を開始しています。
トレンチピッチの微細化によりオン抵抗を従来比1/3以下に低減し、チップ面積の縮小と性能向上を両立。製造効率とコスト競争力を高める技術力が強みです。
同社は前工程・後工程を含む15工場を自社で保有し、インゴット設計・製造までを内製化。高い内製比率により、安定供給と短納期を実現しています。
半導体プロセス・デバイス開発経験をお持ちの方で、IGBT分野に関心のある方には、非常に魅力的なポジションです。
- 応募資格
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- 必須
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●IGBTデバイス設計経験（デバイスエンジニア）
●Trench MOSまたはIGBTのプロセス開発経験（プロセスエンジニア）
●高耐圧パワーデバイスの開発経験
- 歓迎
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●IGBT開発経験
●パワーデバイス応用技術の知見
●プロセスインテグレーション経験
●熱処理、リソグラフィ、エッチング、メタライズ等の要素技術経験
- 雇用形態
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正社員
試用期間３カ月有り：条件変動なし
- 勤務地
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▼以下ご希望の勤務地をお知らせください
【日本支社】東京都中央区東日本橋3-11-8 MKT東日本橋ビル6F
・都営浅草線「東日本橋駅」徒歩1分
・都営新宿線「馬喰横山駅」徒歩2分
・JR在来線「馬喰町」徒歩3分
【大阪支店】大阪市淀川区西宮原 1-8-10 Vianode新大阪
・御堂筋線「新大阪駅」徒歩6分
・JR「新大阪駅」徒歩9分
【名古屋支店】2026年開設予定
◎在宅勤務も検討致します。
- 勤務時間
- 9:00～17:00(所定労働時間：7時間)
- 年収・給与
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【想定年収】700万円～1,300万円
【昇給】あり
【賞与】年2回
- 待遇・福利厚生
- ●各種社会保険完備
- 休日休暇
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●年間休日120日
●完全週休2日制（土日）、祝日
●夏季・年末年始
●慶弔休暇
●有給休暇：初年度10日（入社半年経過時点）
