募集要項
- 仕事内容
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同社にて、SiC、GaNパワー半導体（SiC-MOSFET、縦型GaN-MOSFET、横型GaN-HEMT）のデバイスおよびプロセスに関する研究開発、ならびにSiCエピおよびGaNウェハ技術の研究開発をご担当いただきます。
【具体的には】
・パワーデバイスの企画、技術動向調査
・パワーデバイスのデバイスシミュレーション設計、構造設計、レイアウト設計
・パワーデバイスのプロセスシミュレーション設計、プロセス要素技術開発
・パワーデバイスのプロセスインテグレーション、工程設計
・パワーデバイス試作品のテスト、分析、評価解析
・パワーデバイス用ウェハ（GaN基板、SiCエピ成長）の技術開発
・パワーデバイス用加工装置の導入および改造
※株式会社デンソーの社員として株式会社ミライズテクノロジーズに出向いただきます。
【業務のやりがい・身につくスキル】
・SiC、GaNパワー半導体に関する世界トップレベルのデバイス・プロセス技術が身につきます。
・CAE／CAD設計から試作・評価・解析までを一貫して経験でき、実践力を養うことができます。
・自分たちで考えたデバイスを設計でき、専用の開発試作ラインでプロセス開発に思う存分チャレンジでき、試作品の評価解析まで一連の開発サイクルを回しながら研究開発を行えます。
・社内外の専門家、大学、研究機関との連携／協働を通じ、専門性の深化、先端研究の実施と技術領域の拡張が可能になります。
・素子開発にとどまらず、パワーモジュール、インバータ開発部署、車両メーカと連携しながら広い視野で開発を進める事ができます。
・地球温暖化の抑制という社会課題解決に貢献でき、やりがいを感じられます。
- 応募資格
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- 必須
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以下、全てのご経験をお持ちの方
・半導体に関する知識を有すること
・半導体デバイスの設計、評価、プロセスインテグレーション、プロセス加工技術の開発経験（研究開発、量産経験は問いません）
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 愛知県
- 勤務時間
- 08:40 - 17:40（コアタイム：10:10 - 15:25）
- 年収・給与
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550万円～1100万円(経験能力考慮の上優遇)
昇給1回、賞与2回
- 待遇・福利厚生
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【保険】
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金
【諸手当】
家族手当、役職手当、資格手当、時間外勤務手当、通勤交通費など
- 休日休暇
- 年間121日／（内訳）完全週休2日制（土日）、GW、夏季・年末年始休暇(各10日程度の連続休暇)、有給休暇(最高20日/1年)、特別休暇
