募集要項
- 仕事内容
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■同社にて、パワー半導体＜GaN＞におけるプロセス開発の下記業務を担当していただきます。
【具体的には】
■パワーGaNトランジスタ用エピタキシャルウェハの結晶成長技術開発
・MOCVD法を用いたGaN系薄膜成長技術開発
・量産化技術開発
■パワーGaNトランジスタのウエハプロセス開発
・化合物半導体（GaN系）のプロセス要素技術開発（成膜、エッチング、不純物拡散、電極形成など）
・パワーGaNトランジスタの製造プロセス開発（電極構造の形成、共振器構造の形成など）
・パワーGaNトランジスタのデバイス特性評価
- 応募資格
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- 必須
- ■パワー半導体製品のプロセス開発業務経験
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 富山県
- 勤務時間
- 08:30 - 17:00（コアタイム：00:00 - 00:00）
- 年収・給与
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550万円～1150万円(経験能力考慮の上優遇)
昇給1回、賞与2回
- 待遇・福利厚生
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【保険】
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金
【諸手当】
通勤手当、超勤手当、育英給付金など
【待遇・福利厚生】
社宅、財形貯蓄、保養所、医療施設、企業年金制度など
- 休日休暇
- 年間127日／（内訳）完全週休2日制（土日）、祝日、夏季休暇（一斉年休含む）、年末年始、有給休暇、慶事休暇、長期節目休暇、ファミリーサポート休暇、キャリア開発休暇など
