募集要項
- 仕事内容
-
■同社にて、以下の業務をご担当いただきます。
【具体的には】
持続可能なモビリティ社会の実現に繋がるワイドバンドギャップ/ウルトラワイドバンドギャップ半導体などによるパワーデバイスの高性能化・高信頼化を目指した研究開発、それらを高効率に製造する技術開発に取り組んでいただきます。
CAE技術、新材料のプロセス技術や評価技術などの技術革新により、先端パワーデバイスの早期社会実装・普及に貢献いただきます。また、製造段階で得られるデータを高度に活用する技術の開発により、グループ各社での製造基盤の革新に貢献いただきます。
- 応募資格
-
- 必須
-
以下いずれかのご経験をお持ちの方
・パワーデバイスやRFデバイスなどのアナログデバイスの研究開発経験
・ワイドバンドギャップ/ウルトラワイドバンドギャップ半導体のプロセス技術開発の経験
・半導体表面や絶縁膜/半導体界面の物理分析、電気評価の経験、半導体製造工程データの活用に関する技術の開発経験
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 愛知県
- 勤務時間
- 08:30 - 17:30（コアタイム：10:00 - 12:00）
- 年収・給与
-
500万円～1000万円(経験能力考慮の上優遇)
昇給1回、賞与2回
- 待遇・福利厚生
-
【保険】
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金
【諸手当】
通勤費補助
【待遇・福利厚生】
基本プラン（社員食堂、通勤費補助、社外契約施設、福利厚生施設、財形貯蓄、融資制度（持家、車）、クラブ・同好会 等）カフェテリアプラン（昼食費補助、自己啓発費用補助、リフレッシュ費用補助、健康推進のための費用補助 等）
- 休日休暇
-
年間121日／（内訳）長久手キャンパス：年間121日（土・日曜日、ゴールデンウィーク、夏季休暇、年末・年始休暇、年次有給休暇）
東京キャンパス：年間121日（土・日曜日、祝日、年末・年始休暇、年次有給休暇）
