募集要項
- 募集背景
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増員募集です。
グローバルで拡大する不揮発性メモリ需要への対応と、日本主導で進める1X／2Xnm世代NAND開発体制の強化を目的とした増員です。複数プロジェクトの同時進行に伴い、即戦力として設計開発を担うエンジニアを募集します。
- 仕事内容
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【ミッション】
Winbondグループの日本法人にて、1Xnm世代DRAMの研究開発・設計を担うポジションです。モバイル・スペシャルティ・グラフィックスDRAMなど幅広い製品を対象に、日本からグローバル開発に参画していただきます。
【主な業務内容】
・1Xnm世代DRAMの回路設計・アーキテクチャ検討
・DRAM製品のカスタマイズ設計および最適化対応
・機能検証・特性評価・不具合解析などの検証業務全般
・台湾本社エンジニアとの技術連携、仕様調整（英文ドキュメントの読み書き）
▼DRAM開発・設計業務の詳細
・Mobile RAM、Specialty DRAM、Graphics DRAMを対象とした設計・検証を担当します。
・コンシューマー機器、通信機器、コンピュータ周辺機器、自動車関連機器向けなど、用途に応じた仕様検討・カスタマイズも発生します。
・開発～設計～カスタマイズ～検証まで一連のフェーズに携わるため、上流から下流まで広く経験を積むことができます。
・台湾本社の技術チームと連携しながら、日本市場のニーズを反映した製品開発に取り組みます。
【ポジションの魅力】
▼DRAM開発の上流から一連の工程に携われる環境
研究開発、設計、カスタマイズ、検証までを一貫して担当できるため、特定工程に限定されず、DRAM製品のライフサイクル全体を見渡して経験を積むことができます。メモリの専門性を高めつつ、上流工程への関与も期待されるポジションです。
▼グローバル開発に関わる技術連携とスキル向上
台湾本社のエンジニアと連携し、英文仕様書・技術資料を扱いながら開発を進めます。海外拠点との協業を通じて、技術知識に加えてコミュニケーションや情報発信のスキルも磨くことができます。
【将来的に従事する可能性のある仕事内容】
同社業務全般
【所属部署情報】
DRAM開発・設計チームは、メモリ分野での経験を持つエンジニアが集まり、プロジェクトごとに少数精鋭で開発を推進しています。経験者同士で技術的な議論を行いながら業務を進める体制です。
※1プロジェクト当たり10名程度でチーム構成されています。
- 応募資格
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- 必須
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以下いずれもに当てはまる方
・大卒以上で科学、工学、電気工学系専攻をされた方
・英語での基本的なコミュニケーションスキル
・DRAMメモリに関する3年以上の実務経験がある方
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
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【勤務地】神奈川県横浜市港北区新横浜2丁目3-12 新横浜スクエアビル 9階
【最寄駅】各線「新横浜」駅より徒歩2分
＜リモートワーク＞
一部リモートOK（出社要）
週1～2日
＜将来的に勤務する可能性のある場所＞
勤務地変更なし
＜受動喫煙防止策＞
屋内全面禁煙、屋外に喫煙所を設置
- 勤務時間
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フレックスタイム制 1日の標準労働時間：8時間
休憩時間：1時間
コアタイム：あり 10:00～15:00
月平均残業時間：20時間
- 年収・給与
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年収：800～1600 万円
年俸制
月給666666円
基本給：666666円
年俸の1/12を毎月支給
残業代：全額支給
通勤手当：あり 実費支給(上限なし)
賞与：あり 年2回
昇給：あり 年1回
- 待遇・福利厚生
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・退職金制度
・リロ倶楽部加入：保養所・提携旅館・スポーツクラブ等
・昼食補助
- 休日休暇
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【年間休日】124日
【休日内訳】 完全週休2日制 土曜日,日曜日,祝日,夏季休暇,年末年始休暇,GW休暇,産前・産後休暇,育児休暇,介護休暇,特別休暇
- 選考プロセス
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面接2回
一次面接→最終面接→◎内定
