募集要項
- 募集背景
- 増員
- 仕事内容
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■『Changes for the Better』日本を代表する総合電機メーカー!!■売上・利益ともに過去最高■徹底した労働時間管理により働き方改善（全社平均残業時間22.4h）■製作所毎に独立した…【パソナキャリア経由での入社実績あり】◆同社において、光通信用途を始めとしたデバイス開発を支える化合物半導体エピタキシャル成長技術開発を担当していただきます。結晶品質および量産安定性の最適化を目指し、設計・実験・解析・量産導入までを一貫して行います。
【具体的には…】※業務内容例※
■InP／GaAs／GaN 系のIII-V 族化合物半導体のエピタキシャル成長
・MOCVD装置を用いたInP／GaAs／GaN 系のエピタキシャル成長
・エピ成長条件（温度、圧力、V/III 比、キャリアガス流量）の設定・調整
・デバイス仕様に応じたエピ構造の実現（量子井戸層、ヘテロ障壁層、ドーピング制御 など）
■薄膜の評価および解析
・エピ成長後の膜厚・組成の評価（XRD、SIMS、PL、TEM、SEM など）
・欠陥密度、表面粗さ、歪み量など、品質に直結するパラメータの定量化
・光学特性（PLピーク、吸収端）、電気特性（キャリア濃度、移動度）の解析
● エピ成長条件の最適化と再現性向上
・結晶品質のばらつき要因の特定（ガス分布、ヒータプロファイル、基板回転、温度均一性など）
・エピ成長装置の経時変化を考慮した安定化手法の検討
・量産ラインでの再現性確保に向けた条件最適化
・エピ成長装置のメンテナ・安定動作管理
■新規材料／構造のプロセス開発
・高速・低消費電力デバイス向けの多重量子井戸（MQW）構造の開発
・新デバイス用途への新規材料展開
※将来的には、エピタキシャル成長技術のリーダー/マネージャーとしてグループの牽引。
【募集背景】
■1960年代より積み重ねてきた研究開発の歴史を継承し、今もなお進化を続ける当社の化合物半導体技術。その技術から生み出される高周波・光デバイスは、AIの普及で大量の情報を処理するデータセンター、5Gなどの通信インフラ、センシング等に使用されており、性能面で他社の追随を許さず、国内外でトップクラスのシェアを誇ります。近年、通信トラフィックは急速に増大しており、お客様からの期待に応えるため、この度生産能力を大きく引き上げる「増産」へと踏み出すことになりました。これら最先端デバイスの性能を支える要となるのが、エピタキシ…
- 応募資格
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- 必須
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■化合物半導体（InP, GaAs, GaNなど）の結晶成長・評価経験に関する実務または研究
- 歓迎
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・工学系修士以上または同等の専門知識・スキルを有する方
・MOCVD、MBEなどの結晶成長装置の操作・プロセス設計経験
・物性物理、量子力学、電磁気学に関する基礎知識
- フィットする人物像
- 応募資格をご覧下さい
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 兵庫県伊丹市瑞原四丁目1番地高周波光デバイス製作所（通勤手段：バス・自動車・自転車）
- 勤務時間
- 08:30～17:00
- 年収・給与
- 530万円～1100万円
- 休日休暇
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完全週休二日（土日） ■年間休日：124日（2022年度予定）
※内訳：土曜/日曜/祝日、GW、夏季、年末年始など（会社カレンダーに準じる）
■年次有給休暇：20日～25日
※入社時より付与。付与日数は入社日により変動（4～20日）。
■その他：チャージ休暇2～4日（30歳、40歳、50歳到達年）
