募集要項
- 仕事内容
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【職務内容】
トポロジカル物質を用いた、革新的なメモリデバイスの開発プロジェクトにおいて超高速・超高集積MRAMの設計をご担当いただきます。
【職務概要】
当社トポロジカル物質を用いた革新的なメモリデバイスの開発設計業務に従事していただきます。
当社はトポロジカル物質を世の中に実装し、その物性を活かしたな製品/サービスを通じて社会の高度化/効率化を目指しています。
そんな当社で超高速・超高集積MRAMの設計をご担当いただきます。
マネジメントと設計実務の両方をお願いいたしますが、具体的な業務内容は面談時にご相談させて頂きます。
【職務詳細】
東京大学で研究開発されているトポロジカル物質の異常ホール効果を用いたMRAM素子、デバイス、
スペシャルティメモリ等の製品の研究開発及び特許ポートフォリオ構築を行い、半導体メモリ企業との提携を
通じて、自社メモリ製品の社会への実装、サービスの創出を行っていただきます。
【募集背景】
当社は2021年に創業した新進気鋭のスタートアップです。
資金調達が完了し、事業規模の拡大に向けて人員採用を拡大しております。
その中で、当社のコア技術であるトポロジカル物質を用いた新規のメモリデバイスの開発を行っております。
現在開発組織体制を強化中であり、開発速度を加速させるために、メモリデバイスの開発チームの拡大中です。
- 応募資格
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- 必須
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※以下のいずれか
・半導体設計経験１年以上
・半導体製造関連業務の実務経験１年以上
※エッジング・スパッタリングなど
- 雇用形態
- 正社員（試用期間あり）
- 勤務地
- 東京都
- 年収・給与
- 400万円 ～ 699万円
- 待遇・福利厚生
- 通勤交通費支給／雇用保険／労災保険／健康保険／厚生年金保険
- 休日休暇
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年間休日120日
完全週休2日制（土・日）、祝日
