募集要項
- 仕事内容
-
■デザインエンジニアとして、NANDフラッシュメモリの設計・開発を担当していただきます。
【具体的には】
■1Xnm、2XnmのNANDのRTL設計
■ロジック検証
【求人の魅力について】
NANDのリード設計は日本で行っており、競合他社と比較して少人数組織となるため、裁量が大きく自身の考えを反映させやすい環境です。
【同社について】
1987年に台湾で設立され、NORフラッシュメモリではトップクラスのシェアを取るなど急成長した半導体企業です。
今も増大する需要を満たすため台湾の高雄に新工場も設立するなど開発、生産力の向上に盛んに投資を行っています。
NANDの開発については日本が主導しているため設計自由度が高く、少数精鋭での開発を行っており幅広い領域を経験いただくことが可能です。
- 応募資格
-
- 必須
-
※下記いずれも必須
・フラッシュメモリに関する設計経験を3年以上お持ちの方
・基本的な英語コミュニケーションスキル
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 神奈川県
- 勤務時間
- 09:00 - 18:00（コアタイム：10:00 - 15:00）
- 年収・給与
-
600万円～1500万円(経験能力考慮の上優遇)
昇給1回、賞与2回
- 待遇・福利厚生
-
【保険】
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金
【諸手当】
残業手当、通勤手当
- 休日休暇
- 年間休日124日、完全週休2日制（土・日）、祝日、GW（暦どおり）、夏季、年末年始、年次有給
