募集要項
- 仕事内容
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■パワーデバイス材料研究、デバイス開発をご担当いただきます。
【具体的には】
・SiCウェハガス成長法の研究開発
・SiCエピタキシャル成長の研究開発
・横型GaN-HEMTのデバイス開発
・縦型GaN-MOSFETのデバイス開発
・α酸化ガリウム半導体研究開発
・β酸化ガリウム半導体研究開発
・ダイヤモンド半導体研究開発
※同社の社員として関連会社に出向いただきます。
- 応募資格
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- 必須
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【必須要件】以下、全てのご経験をお持ちの方
・パワー半導体材料またはデバイスに関する知見を有すること（大学卒業レベル）
・半導体の材料開発、エピ成長開発、プロセス開発、製造装置開発、デバイス開発のいずれかの業務経験（3年以上）を有すること
【歓迎要件】
・第一原理計算、T-CADシミュレーション経験
・エピタキシャル成長に関するプロセス・装置開発経験（5年以上）
・ワイドバンドギャップ半導体の研究・開発経験（5年以上）
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 愛知県
- 勤務時間
- 08:40 - 17:40（コアタイム：10:10 - 15:25）
- 年収・給与
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500万円～1250万円(経験能力考慮の上優遇)
モデル年収 35歳 800万円
昇給1回、賞与2回
- 待遇・福利厚生
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【保険】
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金
【諸手当】
家族手当、役職手当、資格手当、時間外勤務手当、通勤交通費など
【待遇・福利厚生】
選択型福利厚生制度（カフェテリアプラン）、個別制度/住宅資金貸付、財経貯蓄、持ち株制度など
施設/独身寮、社宅、保養所、研修センター、各種文化・体育施設など
- 休日休暇
- 年間121日／（内訳）完全週休2日制（土日）、GW、夏季・年末年始休暇(各10日程度の連続休暇)、有給休暇(最高20日/1年)、特別休暇
