募集要項
- 募集背景
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非スマホ事業に力を入れるべく、中国市場で電気自動車（EV）やコネクテッドカー（つながる車）の急増が
見込まれるため市場の大きい自動車を事業の柱の一つに育てようとしています。
2012年からEV（電気自動車）への参入を準備
2019年5月にインテリジェント・オートモーティブ・ソリューション事業部設立しました。
EVそのもののメーカーになるのではなく、自動運転車心臓部であるソフトの主導権を握ることを目標にしています。
- 仕事内容
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・高性能パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD、GaN HEMT、Si IGBT)のデザイン開発とテスト検証を担当し、
プロセスチームと協力してデバイス加工とプロセスの最適化を行う。
・高性能パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD、GaN HEMT、Si IGBT)の個別技術をフォローアップし、
既存のデバイスの性能を向上させ、パテントポートフォリオを提案して実現させる。
- 応募資格
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- 必須
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・半導体/電子/物理などの関連分野を専攻し、5年以上のパワーデバイスのデザイン開発経験(直近の3年間には
関連のデザイン開発の従事が必須)、または優秀な博士課程の新卒者
・パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD、GaN HEMT、Si IGBT)の基本構造とデバイスシミュレーションデザイン方法に
精通し、TCADソフトやレイアウトソフトを使用しデバイスデザインが得意な方
・良好なコミュニケーション能力があり、異なる地域や異なる文化背景のチームと良好なコミュニケーションが
とれる方
- 募集年齢(年齢制限理由)
- 40歳以上65歳未満 （定年年齢を上限として募集するため）
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
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神奈川県横浜市
大阪府大阪市北区
- 年収・給与
- 1000万円 ～ 1449万円
- 待遇・福利厚生
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健保組合の福利厚生施設が利用可能
語学研修、語学研修補助金あり
文化体験（月餅、ちまき、水餃子作りなど）
- 休日休暇
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入社初年度から14日間の有給休暇、夏季休暇４日間、病気休暇4日間、慶弔休暇あり
産休・育児休暇制度、介護休暇制度あり
- 選考プロセス
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書類選考
↓
部門面接
↓
最終面接
