募集要項
- 仕事内容
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多国籍テクノロジー企業のパワーデバイス設計ポジションです。・SiC/IGBTパワーデバイスの研究開発を行う。
SiC/IGBTパワーデバイスの研究開発をリードし、最先端かつ高性能で競争力のあるソリューションに注力していただきます。
・最先端、高性能、高信頼性のパワーデバイスの研究開発をリードする。
・最新のパワー半導体関連技術を研究し、開発アイデアを提案する。
・開発ツールの導入を積極的に推進する。
- 応募資格
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- 必須
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・半導体関連技術における20年以上の実務経験
・SiC/IGBTパワーデバイスの研究開発経験10年以上
・半導体デバイスの構造、動作原理、電気特性を深く理解
・プロセスインテグレーションに関する知識
・パワーデバイスの信頼性評価技術の経験
・EDA（電子設計自動化）ソフトウェアツールの知識とパワーデバイス設計の経験
・最新のパワー半導体技術に関する知識
・学術界、産業界に幅広いネットワークを有していること
・パワー半導体市場全体の動向に関する情報収集能力
・問題解決能力とコミュニケーション能力を有し、チームワークを重視する姿勢のある方
・海外出張が可能な方
・英語：日常会話レベル（読み書き：ビジネスレベル）
- 募集年齢(年齢制限理由)
- 下限なし ～ 50歳 （長期勤続によりキャリア形成を図るため）
- 雇用形態
- Full Time / 正社員
- ポジション・役割
- パワーデバイス設計エキスパート（SiC/IGBT）
- 勤務地
- 神奈川県,大阪府
- 勤務時間
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標準時間：9:00～18:00
休憩時間：60分
- 年収・給与
- 1600万円 ～ 2000万円
- 待遇・福利厚生
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・社会保険各種（雇用保険・労災保険・厚生年金保険・健康保険）
・産休・育児休暇制度、介護休暇制度、健保組合の福利厚生施設が利用可能。語学研修、語学研修補助金、文化体験
・通勤手当
など
- 休日休暇
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・完全週休2日制（土・日）
・祝日、年末年始
・年間休日：125日
