募集要項
- 仕事内容
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同社にて、電動車向けインバータ用パワー半導体（SiC-MOSFET）のデバイス設計やデバイスのプロセス加工技術の研究開発及び試作品評価をご担当いただきます。
【具体的には】
・パワーデバイスの企画、構造設計、レイアウト設計
・パワーデバイス及びプロセスシミュレーション設計、技術動向調査
・パワーデバイスのプロセスインテグレーションおよびプロセス加工技術の開発
・パワーデバイスの構造、プロセス加工技術の要素技術開発
・試作品の評価、分析、解析
- 応募資格
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- 必須
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【必須要件】以下、全てのご経験をお持ちの方
・半導体に関する知識を有すること
・半導体デバイスの設計、評価、プロセスインテグレーション、プロセス加工技術の開発経験
（研究開発、量産経験は問いません）
【歓迎要件】
・パワー半導体に関する知識を有すること
・半導体デバイス設計、プロセスインテグレーション、プロセス加工技術の開発経験（3年以上）
・プロジェクトマネージャ、リーダまたはサブリーダの経験者
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 愛知県
- 勤務時間
- 08:40 - 17:40（コアタイム：10:10 - 15:25）
- 年収・給与
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500万円～1250万円(経験能力考慮の上優遇)
モデル年収 35歳 800万円
昇給1回、賞与2回
- 待遇・福利厚生
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【保険】
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金
【諸手当】
家族手当、役職手当、資格手当、時間外勤務手当、通勤交通費など
【待遇・福利厚生】
選択型福利厚生制度（カフェテリアプラン）、個別制度/住宅資金貸付、財経貯蓄、持ち株制度など
施設/独身寮、社宅、保養所、研修センター、各種文化・体育施設など
- 休日休暇
- 年間121日／（内訳）完全週休2日制（土日）、GW、夏季・年末年始休暇(各10日程度の連続休暇)、有給休暇(最高20日/1年)、特別休暇
