募集要項
- 仕事内容
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エピタキシャル成長製造装置開発の成膜のプロセス開発を行っていただきます。●シリコン、GaN、SiC膜の成膜方法（レシピ）の開発と測定機による評価
●装置の開発、客先でのデモンストレーション、メンテナンス、トラブル対応
●プロセスに関する客先でのプロセス仕様打合せ、装置立上、客先でのプロセス支援
※海外顧客の場合海外出張いただき、顧客先でレシピの調整を行います。
【エピタキシャル成長製造装置の特徴】
(1)ウェーハの高速回転による高速かつ均一性の高い成膜
(2)緻密に設計された垂直方向のガスフローによる均一なガス濃度分布
(3)高精度な面状ヒーターに非接触で配置することで高い温度均一性と高速昇降温特性
上記コア技術が実現することで高品質エピタキシャル成長層の形成を可能としております。
プロセス担当はこれらコア技術が顧客要望通り実現しているかを測定器などを使用して検証し、エラーの原因はレシピなのかハードなどかを突き詰め改善を行っていきます。
＜業務で使用するツール＞
測定機操作 (SEM、欠陥検査、膜厚、XRD等）
＜入社後お任せしたい業務＞
上記業務内容を先輩社員がOJTで教育を行いながら、デモ機をもとに装置の扱い方やレシピの開発・調整方法をキャッチアップ頂きます。
【配属組織について】
メンバーの半数以上がキャリア入社です。
＜組織のミッション＞
エピタキシャル半導体製造装置は国内外の顧客より多くの注文を頂いておりますが、この販売台数を最大化することがミッションです。
拡大のためには、顧客先ごとで成膜で使用するガスの種類が異なりプロセスが異なるため、顧客ごとにニーズを満たすレシピの作成・プロセスを立ち上げることが重要となっています。
さらに今後はウェハーのサイズが大きくなることから、自動搬送のニーズが高まり、自動搬送の機械設計・ソフトウェア設計が求められています。
【製品・同社の強み】
●電気自動車で使用される充電器や通信技術の5G・6Gなどの基地局は、エピタキシャル装置で製造されるパワー半導体がなければ急速充電あるいは高速通信ができないため注目されています。
●また、パワー半導体は省エネの部分においても、脱炭素推進が可能なものとして注目をされています。
●非常に入手困難な8インチSiCを製造しているメーカーに対して、同社装置を納入できているため、最先端かつ技術の高さで競合他社と差別化ができています。
- 応募資格
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- 必須
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●国内外への長期出張が可能な方。
●エピ成膜に興味がある方。
●高専卒業以上
- 歓迎
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●半導体の製造等において何らかの成膜経験がある方。
●半導体製造装置(CVD装置)を使用した成膜経験がある方。
●半導体製造装置(CVD装置)で使用されるガスや、真空装置の取り扱い経験がある方。
●英語でのコミュニケーションが可能な方。
- 募集年齢(年齢制限理由)
- ～50歳くらいまで （特定年齢層の特定職種の労働者が相当程度少ないため）
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 神奈川県横浜市
- 勤務時間
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8：45～17：30
※フレックスタイム制（コアタイム無し）
※在宅勤務制度
【働き方】
・部署の平均残業時間：約20時間／月
・リモートワーク：有 （週に約1日在宅勤務）
・海外出張：有 年に2～3回、出張期間は1か月～3か月
（一般的なケースとしては、年2回で最長合計期間６か月が目安となります)
- 年収・給与
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【担当クラス】年収：420万円～730万円
【主任クラス】年収：670万円～940万円
【管理職クラス】年収：1070万円～1500万円
・昇給 年1回
・賞与 年2回
●年収例
・640万円：29歳独身
・760万円：33歳既婚・子1人
・1065万円：参事
・福利厚生支援制度：教育・健康・懇親 etc.に対し年間最大35万円の補助あり
・独身者用、世帯主用借り上げ社宅制度あり
※経験、能力等を考慮し、規定により支給いたします。
- 待遇・福利厚生
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・手当：時間外手当、役職手当、家族手当、通勤交通費
・社会保険：厚生年金、健康保険、雇用保険、労災保険、介護保険
・定年：60歳、再雇用：65歳まで
・退職金制度、企業年金
・財形制度
・借上げ社宅
・目的型福祉制度
・共済会制度、選択型福祉制度
・保養所、健康診断
・リフレッシュ休暇
・育児・介護休業制度、配偶者出産休暇制度
・教育研修制度 ほか
- 休日休暇
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・完全週休2日制(土・日)、祝日
・年末年始休暇、夏季休暇
・有給休暇
・慶弔休暇、特別休暇 等
・年間休日125日以上
