設計・開発エンジニア（半導体）
パワーデバイス設計（SiC/IGBT）◆◆大手外資系テクノロジー企業◆◆年収1600万以上◆◆
の転職・求人情報はすでに掲載終了しております。（掲載期間11月13日～11月26日）
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掲載時の募集要項（掲載期間：2024/11/13 ～ 2024/11/26）
設計・開発エンジニア（半導体）
パワーデバイス設計（SiC/IGBT）◆◆大手外資系テクノロジー企業◆◆年収1600万以上◆◆
外資系企業
大手企業
マネジメント業務なし
英語力が必要
土日祝休み
募集要項
仕事内容
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多国籍テクノロジー企業のパワーデバイス設計ポジションです。
SiC/IGBTパワーデバイスの研究開発をリードし、最先端かつ高性能で競争力のあるソリューションに注力していただきます。
・SiC/IGBTパワーデバイスの研究開発を行う。
・最先端、高性能、高信頼性のパワーデバイスの研究開発をリードする。
・最新のパワー半導体関連技術を研究し、開発アイデアを提案する。
・開発ツールの導入を積極的に推進する。
応募資格
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- 必須
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・半導体関連技術における20年以上の実務経験
・SiC/IGBTパワーデバイスの研究開発経験10年以上
・半導体デバイスの構造、動作原理、電気特性を深く理解
・プロセスインテグレーションに関する知識
・パワーデバイスの信頼性評価技術の経験
・EDA（電子設計自動化）ソフトウェアツールの知識とパワーデバイス設計の経験
・最新のパワー半導体技術に関する知識
・学術界、産業界に幅広いネットワークを有していること
・パワー半導体市場全体の動向に関する情報収集能力
・問題解決能力とコミュニケーション能力を有し、チームワークを重視する姿勢のある方
・海外出張が可能な方
・英語：日常会話レベル（読み書き：ビジネスレベル）
- 募集年齢(年齢制限理由)
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下限なし ～ 50歳 （長期勤続によりキャリア形成を図るため）
雇用形態
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Full Time / 正社員
ポジション・役割
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パワーデバイス設計エキスパート（SiC/IGBT）
勤務地
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神奈川県,大阪府
勤務時間
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標準時間：9:00～18:00
休憩時間：60分
年収・給与
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1600万円 ～ 2000万円
待遇・福利厚生
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・社会保険各種（雇用保険・労災保険・厚生年金保険・健康保険）
・産休・育児休暇制度、介護休暇制度、健保組合の福利厚生施設が利用可能。語学研修、語学研修補助金、文化体験
・通勤手当
など
休日休暇
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・完全週休2日制（土・日）
・祝日、年末年始
・年間休日：125日
会社概要
社名
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非公開
事業内容・会社の特長
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世界170以上の国や地域でビジネスを展開する大手外資系サプライヤーの日本法人。ICTソリューション、ネットワークサービス、コンシューマー向け端末を専門に扱う。
Japanese subsidiary of a major foreign supplier with business operations in more than 170 countries and regions worldwide, specializing in ICT solutions, network services, and consumer terminals.
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