募集要項
- 募集背景
- 地球環境問題は重要な課題であり、そのためにモビリティの電動化を急速に進めて行く必要があります。パワー半導体は、電動車のモータを駆動するための重要なキーデバイスです。我々は、より低損失で小型化に向けたパワー半導体（SiCーMOS）の研究開発を行っております。SiCパワー半導体は、燃費（電費）の向上、電池搭載量削減、航続距離向上が図れるため、Siに変わる次世代半導体として競争が急激に激化しています。電動化を進めていくには、良品廉価で低損失化しつつ、且つ高い信頼性を有するSiCパワー半導体をスピーディに開発、製品化することが求められています。一緒にSiC-MOSのデバイス開発に取組み、世界の電動化をリード、新しいモビリティの付加価値を創出していく、チャレンジ意欲がある人材を求めています。
- 仕事内容
-
電動車に不可欠な次世代パワー半導体（SiCーMOS）のデバイス設計やデバイスのプロセス工法開発及びその評価
(以下業務のいずれかに携わっていただきます)
・パワーデバイスの設計、デバイス開発
・パワーデバイスのプロセス工法開発
・パワーデバイス向け要素技術開発
・パワーデバイスのCAE、試作、評価、解析
- 応募資格
-
- 必須
-
・パワー半導体に関する知識を有すること
・半導体デバイスの設計、評価、又はプロセスインテグレーション、またはウェハ加工プロセス技術の開発経験(2年以上)
- 歓迎
-
・デバイス設計、又はプロセスインテグレーション、又はウエハ加工プロセス技術の開発経験（3年以上）
・プロジェクトリーダまたはサブリーダの経験者
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 愛知県
- 年収・給与
- 500万円 ～ 1399万円
