募集要項
- 仕事内容
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◆半導体デバイス開発エンジニア職で下記3職種で人材募集行っております。
(1)SiGe・SiPhoデバイス開発エンジニア
RFデバイス並びにSi Photonicsのデバイス／インテグレーション
開発エンジニア
RFデバイス（主にSiGe BiCMOS）並びにSi Photonicsのデバイス開発、
もしくは、それら開発ウエーハの作製を取り仕切るインテグレーション
を行う。
■具体的な職務内容
• 顧客・市場要求から、性能とコスト競争力のあるデバイス（FET、各種能動／受動素子）を開発する。
• プロセス開発とデバイス開発を盛り込んだSiウエーハ作製フローを構築し、開発ウエーハ作製を具体化する。
• 顧客やベンダーなどと技術のやり取りを通じて、満足度を与えながら開発課題の対応を行う。
• 国内外のチームメンバーと円滑なコミュニケーションとチーム内の技術調整。
• 英語による国外関係者との技術調整。
(2)RFデバイス開発エンジニア
RFデバイス（主にRF SOI）開発を、プロセス技術・TCAD技術・信頼性
技術・IP設計・PDK関連技術などの関連部署と連携して行う。
■具体的な職務内容
• 顧客・市場要求から、性能とコスト競争力のあるデバイス（FET、各種能動／受動素子）を開発する。
• 顧客やベンダーなど外部との技術議論を通じて、満足度を与えながら開発課題の対応を行う。
• 国内外のチームメンバーと円滑なコミュニケーションとチーム内の技術調整。
• 英語による国外関係者との技術調整。
＜勤務地＞
・富山県魚津市の同社本社（(1)SiGe・SiPhoデバイス開発エンジニア
(2)RFデバイス開発エンジニア）
- 応募資格
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- 必須
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【必須（MUST）】
・半導体デバイス・プロセスの開発経験や知識を所持している方。
- 歓迎
- ・RF/光学デバイス・プロセスの開発経験、知識のある方。
- 雇用形態
- 期間の定めのない正社員（但し試用期間あり：3ヶ月間）
- ポジション・役割
- スタッフクラス
- 勤務地
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富山県魚津市の同社本社
＜補足：就業環境など＞
・単身赴任社宅貸与や、単身赴任手当、帰宅旅費支給（月1回以上）などの制度もあり、働きやすい環境の企業です。
- 勤務時間
- 勤務時間：8時間就労（8:30～17:15）、休憩時間45分、フレックスタイム制度あり（ノンコアフレックス）、リモートワーク制度もあり。
- 年収・給与
- 600万円 ～ 1000万円
- 待遇・福利厚生
- 福利厚生等：通勤手当、退職金DC制度あり、単身赴任手当、単身赴任者帰省旅費、寮・社宅・住居費補助制度等あり、社員食堂・売店あり、入社前検診費用会社負担、屋内原則禁煙（喫煙指定場所あり）
- 休日休暇
- 休日休暇：年間休日127日、完全週休2日制（土日祝）、メーデー（5月1日）、夏季休暇、GW、年末年始休暇、有給休暇20日間／年（5日間は一斉取得）
