募集要項
- 仕事内容
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■仕事概要
3D NANDメモリ半導体の製品・技術開発を担当頂きます。
主に四日市の開発ラインで作られたウェハのメモリセル、およびそれを駆動する周辺回路やトランジスタを電気的に測定・解析し、プロセス開発、製品の性能・信頼性向上のための技術開発を行います。
国内、海外他拠点を含むプロセス、テスト、設計等のチームとも仕事を分担して、共同で開発を行います。
■同社で半導体エンジニアとして働く魅力
・本社がシリコンバレーにあるため、世界の半導体に関する最先端の情報を、いち早く入手し、開発に生かすことができます。最先端の技術を活用し、時代をリードする最先端の製品開発を行うことが可能です。
・比較的業務の幅、裁量が広く、技術の提案等を行うことができます。狭い範囲の決められた仕事をこなすのではないため、技術者としてのレベルアップを図りやすい環境が整っています。
■勤務地詳細
藤沢分室 （湘南台駅 バス10分） ※自家用車通勤可能
- 応募資格
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- 必須
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・半導体デバイス開発や不良解析、テスト工程開発等のご経験のある方
・基礎的な英語力のある方
- 歓迎
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・メモリ半導体プロセスやデバイス（フラッシュ、EEPROM、DRAM、SRAM）に関する知識や経験のある方。
・ビジネスレベルでの英語力のある方
- 雇用形態
- 期間の定めのない正社員（但し試用期間あり：3ヶ月間）
- ポジション・役割
- スタッフクラス
- 勤務地
- 神奈川県藤沢市
- 勤務時間
- 標準的な就業時間：9：00～17：30（休憩時間60分、専門業務型裁量労働制勤務）
- 年収・給与
- 500万円 ～ 1000万円
- 待遇・福利厚生
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各種保険：社会保険完備（健康保険、厚生年金、雇用保険、労災保険）
各種福利厚生：退職金制度（確定拠出年金（401k））
その他：入社時の転居費用補助あり、賃貸住宅家賃補助、単身赴任者に対する帰省手当支給あり、ストックオプション等、事業所内禁煙又は指定喫煙場所あり
- 休日休暇
- 休日休暇：完全週休2日制（土日）・祝祭日・年末年始・GW休暇・夏季特別休暇、有給休暇・慶弔・育児・介護休暇、年間休日 128日前後
