募集要項
- 募集背景
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業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計会社です。
設立３年のベンチャー企業ですが、更なる飛躍を目指して、チャレンジ精神あふれる人材を求めています。
- 仕事内容
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業界最先端のSiC、GaN、Si等のパワーデバイスの設計、開発を行います。
・台湾に本拠地を置く本社（パワー半導体デバイスの開発、製造、販売）から開発依頼を受け、
パワーデバイス・モジュールの設計・開発を行います。
・日本及び台湾等を拠点とするエンジニアと協力して開発を進めて頂きます。
・大学などの研究機関、提携会社との垂直統合型の連携も進めてリーディングカンパニーを目指します。
- 応募資格
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- 必須
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【必須条件】
パワー半導体デバイス（Si、SiC、GaN）の設計、開発、製造に関して以下いずれかの経験がある方。
・パワー半導体デバイス（SBD、DMOS、トレンチMOS、IGBT等）のデバイス（チップ）の開発・設計、プロセスインテグレーション開発
・ファウンドリーでのデバイス試作用プロセス全体の指示
・デバイスの信頼性評価（ＴＥＧ作成からＴＤＤＢ評価など）
・レイアウト技術（ＧＤＳ）
・デバイスシミュレーター（Synopsis Sentaurusなど）の使用
・仮歩留まりチップの不良解析、歩留まり向上対策
・パワー半導体デバイスのPKG、モジュールの設計・開発
・最先端パワーデバイスの調査及び新規デバイス構造の提案
・汎用または車載用パワーモジュールの設計・開発
- 歓迎
- 英語もしくは中国語でのコミュニケーションのできる方
- 募集年齢(年齢制限理由)
- 特定年齢層の特定職種の労働者を相当程度少ないため （特定年齢層の特定職種の労働者が相当程度少ないため）
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 京都府
- 勤務時間
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9：00～17：00
裁量労働制
専門業務型裁量労働制：1日8時間
- 年収・給与
- 年俸制：600万円 ～ 1100万円
- 待遇・福利厚生
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健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険 等
交通費支給あり 服装自由
- 休日休暇
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年間休日日数120日
完全土日祝休み 年末年始休暇
