募集要項
- 募集背景
-
業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計会社です。
設立３年のベンチャー企業ですが、更なる飛躍を目指して、チャレンジ精神あふれる人材を求めています。
- 仕事内容
-
業界最先端のSiC、GaN、Si等のパワーデバイスの設計、開発を行います。
・台湾に本拠地を置く本社（パワー半導体デバイスの開発、製造、販売）から開発依頼を受け、
パワーデバイス・モジュールの設計・開発を行います。
・日本及び台湾等を拠点とするエンジニアと協力して開発を進めて頂きます。
・大学などの研究機関、提携会社との垂直統合型の連携も進めてリーディングカンパニーを目指します。
- 応募資格
-
- 必須
-
【必須要件】
GaNパワー半導体デバイスの設計、開発、製造に関し以下の経験がある方。
1．GaNパワー半導体（HEMT、SBD等）のデバイス開発・設計
・デバイスシミュレーター（Synopsis Sentaurusなど）を使用し特性要件を満たすデバイス構造（＊）を設計
＊コラプス対策の電界緩和構造、I-V、C-V目標特性実現、応力解析、熱設計、等
・実測相関検証、シミュレーション条件設定など、開発目的に適合した環境設定ができることが望ましい
２．GaNパワー半導体（HEMT、SBD等）の製品開発・設計
・半導体チップ設計：目標設計仕様を実現するレイアウト構造、設計仕様を決定
・製品特性評価：I-V、C-V特性、実機スイッチング特性の評価、評価系の立上げ
【歓迎条件】
英語もしくは中国語でのコミュニケーションのできる方
- 募集年齢(年齢制限理由)
- 特定年齢層の特定職種の労働者が相当程度少ないため （特定年齢層の特定職種の労働者が相当程度少ないため）
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
-
京都府京都市
- 勤務時間
-
9：00～17：00
裁量労働制
専門業務型裁量労働制：1日8時間
- 年収・給与
- 年俸制：600～1100万円くらい
- 待遇・福利厚生
-
健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険 等
交通費支給あり 服装自由
- 休日休暇
-
年間休日日数：120日
完全土日祝休み 年末年始休暇
- 選考プロセス
-
・面接回数：2回（Weｂ）
※面接回数は変更となる可能性があります。
