募集要項
- 仕事内容
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【職務内容】
【担当技術】
SiCエピタキシャル成長プロセス開発エンジニア
【担当業務】
SiCエピタキシャル成長装置立ち上げ、プロセス条件出し、量産化
【担当職場】
自社前工程国内拠点
【募集の背景】
SiCパワーデバイスは、脱炭素社会の実現に向けて重要となる自動車のEV化や産業機器のインバータ化におけるキーデバイスの一つです。弊社は、車載/産業用パワーデバイス事業の拡大を計画しており、今回、SiCプロセス開発において中核となるSiCエピタキシャル成長プロセスのエキスパートを募集します。募集職種は、プロセスエンジニアとしてSiCエピタキシャル成長装置を用いたプロセス条件の確立や安定化、効率化を担うポジションです。また、将来、拡張していく組織において、技術開発のリーダー的役割を担っていただきます。
- 応募資格
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- 必須
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【MUST】
SiCエピタキシャル成長プロセス開発の従事経験が2年以上あること。
【WANT】
4年制大学または大学院にて工学、化学、物理学等を修了していること。と。
【語学力】
・英語 ビジネス会話ができる (TOEIC 700点程度)
・日本語 ビジネス会話ができる
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 茨城県
- 年収・給与
- 800~900万円