募集要項
- 仕事内容
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業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計企業
■業務内容：
世界のファンダリ―メーカーと協力して高性能パワーデバイスの設計・開発・試作
（具体的には）
・パワー半導体デバイス（SBD、DMOS、トレンチMOS、IGBT等）のデバイス（チップ）の開発・設計、プロセスインテグレーション開発
・ファウンドリーでのデバイス試作用プロセス全体の指示
・デバイスの信頼性評価技術（TEG作成からTDDB評価など）、レイアウト技術（GDS）、デバイスシミュレーター（Synopsis Sentaurusなど）の使用
・低歩留まりチップの不良解析、歩留まり向上対策
・パワー半導体デバイスのPKG,モジュールの設計、開発
・最先端パワーデバイスの調査及び新規デバイス構造の提案
（下記の4分野で求人募集しております、）
1：パワー半導体デバイス設計開発
2：パワー半導体デバイス信頼性評価技術開発・歩留まり改善
3：パワー半導体デバイスのファウンダリでのデバイス試作（インテグレーション）
4：パワー半導体不良解析エンジニア・データ分析技術者
（勤務地所在地）京都府京都市 ※リモート、テレワーク制度あり
（組織について）
ごく少人数で立ち上げがされた企業ですが、半導体技術最先端の海外の技術者とも協業を行っている環境です。
上記4部署が明確に職務分担されている訳ではなく、広い職務に関わり、世界最先端のパワー半導体開発工程に広く関わって頂ける環境です。
- 応募資格
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- 必須
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（下記いずれかのご経験のある方）
・パワー半導体デバイスの設計、開発、製造に関して何らかのご経験の
ある方。
・アナログ半導体分野で応用できる設計開発経験をお持ちの方。
- 歓迎
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・日常会話レベル以上の英語力又は中国語力のある方。
（海外エンジニアとのコミュニケーションも発生する為）
- 雇用形態
- 正社員（但し試用期間あり：3ヶ月）
- 勤務地
- 京都府京都市
- 勤務時間
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労働時間：専門業務型裁量労働制又はみなし労働時間/日：8時間00分、休憩時間：60分
時間外労働有無：有＜標準的な勤務時間帯＞9:00～18:00
- 年収・給与
- 700万円 ～ 1100万円
- 待遇・福利厚生
- 待遇：福利厚生：通勤手当、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険、入社時転居費用負担 / 規定有、受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり
- 休日休暇
- 休日休暇： 完全週休2日制（休日は土日祝日）、年末年始、年間有給休暇10日～20日（下限日数は、入社半年経過後の付与日数となります）、年間休日：120日以上
