募集要項
- 募集背景
- 事業拡大による増員
- 仕事内容
-
【東証プライム上場】高い製品力と技術力を持つ、日本を代表する半導体メーカー【職務概要】
デバイスインテグレーション開発エンジニアとして
下記開発業務を担当いただきます。
【職務詳細】
■Siデバイス開発業務
■IGBT、Diodeの開発業務
■Wafer Processインテグレーション技術構築業務
パワーデバイス領域は同社が掲げる4つの成長エンジンの1つとして、
会社を挙げて注力している事業です。
故に様々な最先端技術を駆使しながら、
新しい試みが積極的に行えるポジションとなります。
- 応募資格
-
- 必須
-
【必須】
■下記いずれかの経験がある方
・半導体プロセスインテグレーションの経験
・MOSFET、IGBT、Diode等のパワーデバイス開発経験
【尚可】
■英語力
【このような方におすすめです】
同社の原動力は「チャレンジ精神」です!
今後の更なる飛躍を目指し、
志が高い方、情熱を持った方にはおすすめの企業です。
- 歓迎
- ※活かせる経験については上記「応募資格」欄に併記しております
- フィットする人物像
- セルフスターターな方
- 雇用形態
-
雇用形態:正社員
契約期間:無期
試用期間:有(3ヶ月)
- 勤務地
-
〒615-8585 京都府京都市右京区西院溝崎町21
阪急京都線「西院」駅/「西京極」駅より徒歩15分
- 勤務時間
- 8:15~17:15
- 年収・給与
-
年収:500万~850万程度
月給制:月額260000円
給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇
賞与:年2回(6月・12月、年間平均4ヶ月)
昇給:あり
- 待遇・福利厚生
-
通勤手当(上限4万円)、退職金制度、住宅制度(結婚都合補助、入社都合補助、持家援助金制度、転勤都合補助など)、社内厚生施設(社員食堂、カフェテリア、フィットネスルームなど)
喫煙情報:敷地内禁煙
- 休日休暇
-
週休2日制(土日)、祝日、夏季休暇、年末年始休暇、有給休暇(最大20日)
- 選考プロセス
-
書類選考⇒1次面接+筆記試験⇒最終面接⇒内定
※状況により変更になる場合あり