募集要項
- 募集背景
- 事業拡大による増員
- 仕事内容
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【東証プライム上場】高い製品力と技術力を持つ、日本を代表する半導体メーカー【職務概要】
SiCパワーデバイス開発エンジニアとして業務を担当いただきます。
【職務詳細】
■SｉCパワーデバイス開発・設計
■SｉCパワーデバイスプロセス開発
SiC（シリコンカーバイト）は次世代の半導体材料として注目されており、
従来のSi半導体に比べ、小型化・低消費電力化・高効率化が
可能なパワー素子が実現出来ます。
既に2012年に製品化もしており、新製品の開発を行って頂きます。
【世界をリードするSiCパワーデバイス】
2009年に欧州最大のSiC単結晶ウエハメーカーを同社グループの一員に迎え、
ウエハ／金型／リードフレーム／パッケージ製造まで全てのプロセスを
グループ内で独自に開発することができる体制を確立しました。
2025年までにSiCの生産能力を2017年の16倍まで拡大し、
市場シェアも業界トップクラスを目指し、
グループ生産拠点も2020年に新棟を竣工予定です。
- 応募資格
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- 必須
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【必須】
■いずれかの経験がある方
・半導体業界でSｉCの研究開発経験
・パワーデバイス設計、パッケージ開発経験
・半導体プロセス開発経験
【このような方におすすめです】
同社の原動力は「チャレンジ精神」です！
今後の更なる飛躍を目指し、
志が高い方、情熱を持った方にはおすすめの企業です。
- 歓迎
- ※活かせる経験については上記「応募資格」欄に併記しております
- フィットする人物像
- セルフスターターな方
- 雇用形態
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雇用形態：正社員
契約期間：無期
試用期間：有(3ヶ月)
- 勤務地
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【近畿】京都府 京都市右京区
阪急京都線「西院」駅／「西京極」駅より徒歩15分
- 勤務時間
- 8:15～17:15
- 年収・給与
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年収:500万～850万程度
月給制：月額300000円
給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇
賞与:年2回（6月・12月、年間平均4ヶ月）
昇給:あり
- 待遇・福利厚生
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通勤手当（上限4万円）、退職金制度、住宅制度（結婚都合補助、入社都合補助、持家援助金制度、転勤都合補助など）、社内厚生施設（社員食堂、カフェテリア、フィットネスルームなど）
喫煙情報：屋内禁煙
- 休日休暇
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週休2日制（土日）、祝日、夏季休暇、年末年始休暇、有給休暇（最大20日）
- 選考プロセス
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書類選考⇒1次面接＋筆記試験⇒最終面接⇒内定
※状況により変更になる場合あり
