募集要項
- 仕事内容
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■GaNデバイス開発課にて以下業務に従事していただきます。
【具体的には】
（1）GaNデバイス・プロセスの設計・開発業務
商品機種開発に繋げるための、GaNチップ開発を担当して頂きます。
具体的には、顧客要望調査⇒デバイススペックのコンセプト決定、デバイス構造・Die構造設計、プロセスフロー設計、プロセス開発、デバイス評価が全体像になりますが、グループとしての業務対応のため、主にプロセスフロー設計・プロセス開発以外の部分を担当頂きます。
※チップ機種開発単位での仕事割り振りになりますが、設計・評価相談や異常対応はグループ・課全体で対応します。
本社業務がメインになりますが、浜松工場での現場開発業務も存在します（月1-2回程度、期間：2-3日週間/回）。
（2）Foundry開発
上記以外の選択肢として、海外Foundryへの技術移管や共同開発の業務が存在します。デバイス・プロセス評価結果を元に改善案をFoundryに対して提示・指示し、社外でのウェハプロセス立上げを実施・完了させる業務になります。
本社内での試作サンプル信頼性評価も存在します。こちらは必要に応じて海外出張が存在します（年4-5回程度、期間：1週間/回）。
※業務（1）（2）は両方を主担当として実施してもらうことは想定していません。適正に応じてアサインさせて頂きます。
＜GaNパワーデバイスとは＞
GaN（窒化ガリウム）とは、次世代パワーデバイスに用いられる半導体材料のことです。
物性に優れており、高周波特性を活かし、低耐圧領域で採用が始まっています。
例えば、GaNパワーデバイスを、DC/DCコンバータやインバータなどの電源装置に搭載すれば、電力変換効率の向上や装置の小型化などを実現できます。
既に量産化が始まっているSiC（シリコン・カーバイド）を補完するパワーデバイスとして、今後も普及が期待されています。
- 応募資格
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- 必須
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【必須要件】※以下のいずれかを満たす方
・半導体材料物性、半導体プロセスの知識
・パワー or RF GaNデバイス設計（エピ・デバイス構造）、プロセス開発、製造・量産化の経験
【歓迎要件】
・5名以上のグループ、課を率いたご経験のある方。もしくはリーダー業務にチャレンジした
い方
・英語での技術ディスカッションが可能な方
・半導体プロセスインテグレーション業務経験、商品開発業務経験のある方
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 京都府
- 勤務時間
- 08:15 - 17:15（コアタイム：00:00 - 00:00）
- 年収・給与
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500万円～900万円(経験能力考慮の上優遇)
昇給1回、賞与2回
- 待遇・福利厚生
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【保険】
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金
【諸手当】
通勤手当、住宅手当、家族手当
【待遇・福利厚生】
■制度：退職金制度、団体生命保険加入、財形貯蓄制度、従業員持株制度など多数
■施設：テニスコート、宿泊施設、レジャー施設、スポーツクラブ、提携保養施設など多数
- 休日休暇
- 年間130日／（内訳）完全週休2日制（土・日）、祝日、夏期休暇、年末年始、慶弔休暇、産前産後休暇、育児休暇、介護休暇など
