設計・開発エンジニア（半導体）
パワーデバイス設計（SiC/IGBT）【大手外資系テクノロジー企業】Use English！
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パワーデバイス設計（SiC/IGBT）【大手外資系テクノロジー企業】Use English！
の転職・求人情報はすでに掲載終了しております。（掲載期間4月18日～5月1日）

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掲載時の募集要項（掲載期間：2024/04/18 ～ 2024/05/01）
設計・開発エンジニア（半導体）

パワーデバイス設計（SiC/IGBT）【大手外資系テクノロジー企業】Use English！

外資系企業 大手企業 マネジメント業務なし 英語力が必要 土日祝休み

募集要項

仕事内容
多国籍テクノロジー企業のパワーデバイス設計ポジションです。
SiC/IGBTパワーデバイスの研究開発をリードし、最先端かつ高性能で競争力のあるソリューションに注力していただきます。
・SiC/IGBTパワーデバイスの研究開発を行う。
・最先端、高性能、高信頼性のパワーデバイスの研究開発をリードする。
・最新のパワー半導体関連技術を研究し、開発アイデアを提案する。
・開発ツールの導入を積極的に推進する。
応募資格
必須
・半導体関連技術における20年以上の実務経験
・SiC/IGBTパワーデバイスの研究開発経験10年以上
・半導体デバイスの構造、動作原理、電気特性を深く理解
・プロセスインテグレーションに関する知識
・パワーデバイスの信頼性評価技術の経験
・EDA（電子設計自動化）ソフトウェアツールの知識とパワーデバイス設計の経験
・最新のパワー半導体技術に関する知識
・学術界、産業界に幅広いネットワークを有していること
・パワー半導体市場全体の動向に関する情報収集能力
・問題解決能力とコミュニケーション能力を有し、チームワークを重視する姿勢のある方
・海外出張が可能な方
・英語：日常会話レベル（読み書き：ビジネスレベル）
雇用形態
Full Time / 正社員
ポジション・役割
パワーデバイス設計エキスパート（SiC/IGBT）
勤務地
神奈川県,大阪府
勤務時間
標準時間：9:00～18:00
休憩時間：60分
年収・給与
1600万円 ～ 2000万円
待遇・福利厚生
・社会保険各種（雇用保険・労災保険・厚生年金保険・健康保険）
・産休・育児休暇制度、介護休暇制度、健保組合の福利厚生施設が利用可能。語学研修、語学研修補助金、文化体験
・通勤手当
など
休日休暇
・完全週休2日制（土・日）
・祝日、年末年始
・年間休日：125日

会社概要

社名
非公開
事業内容・会社の特長
世界170以上の国や地域でビジネスを展開する大手外資系サプライヤーの日本法人。ICTソリューション、ネットワークサービス、コンシューマー向け端末を専門に扱う。

Japanese subsidiary of a major foreign supplier with business operations in more than 170 countries and regions worldwide, specializing in ICT solutions, network services, and consumer terminals.
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職種
技術系（電気・電子・半導体）設計・開発エンジニア（半導体）
業種
メーカーメーカー（電気・電子・半導体）
勤務地
大阪府/ 神奈川県
こだわり条件
外資系企業/ 大手企業/ マネジメント業務なし/ 英語力が必要/ 土日祝休み
Q.
エージェント（人材紹介会社）を利用して、転職をするメリットは何でしょうか。
A.
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