募集要項
- 募集背景
- カーボンニュートラルな未来、CO2削減に向け、消費電力効率改善に貢献するSiパワー半導体。これに変わる化合物材料（SiC/GaN）デバイスの需要拡大が見込まれます。その中でGaNパワーデバイス事業の早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発を牽引する人材を求めています。
- 仕事内容
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弊社では、Si半導体に代わるGaNパワー半導体の研究開発を推進しており、川崎にてデバイス開発とプロセスインテグレーションに取り組んでおります。※エピタキシャルプロセスについては、兵庫にて研究開発中。
株式会社東芝の研究開発センターや各部署と連携しながら、半導体エンジニアとして最先端の技術領域に取り組まれたい方に是非ご応募をいただけますと幸いです。
- 応募資格
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- 必須
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・半導体デバイス開発またはプロセスインテグレーションの実務経験をお持ちの方（Si半導体のご経験にて問題ございません）
- 歓迎
- ・GaNに関する知見
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
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神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地
- 勤務時間
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８：３０～１７：１５（休憩１時間、所定労働時間７時間４５分）
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり
- 年収・給与
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年収500万円 ～ 1000万円
月給25万円～
●経験・年齢等を考慮の上、決定します。
【年収例】
700万円／アプリケーションエンジニア・36歳（月給37万円＋手当）
500万円／デバイス開発・28歳（月給25万円＋手当）
【諸手当】
住宅手当、次世代育成手当、通勤手当、時間外勤務手当、深夜手当など（当社規定による）
※エキスパート級での採用（年収1,000万円）については管理監督者にあたるため、住宅手当、次世代育成手当、時間外勤務手当等は不支給となります。
- 待遇・福利厚生
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【福利厚生】
寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり
【退職金】
退職金制度あり、確定拠出年金制度あり
【社会保険】
健康保険、労災保険、厚生年金、雇用保険
【備考】
業務の変更範囲：会社の指示する業務
就業場所の変更範囲：会社の指示する場所 (労働者の自宅等リモートワークを行う場所を含む)
- 休日休暇
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年間休日126日（2024年度）、週休2日制（土・日）、祝日、年末年始、特別休日
年次有給（初年度は入社月によって変動。半日取得可、最大24日付与、繰越制度あり）、その他休暇（慶弔・夏季・災害休暇など）
- 選考プロセス
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書類選考 ⇒ WEB面接（2回）
※WEB面接実施までに適性検査を受けていただきます
※面接回数は変更となる可能性がございます。
