募集要項
- 仕事内容
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パワー半導体デバイスを使った汎用・車載用パワーモジュールの設計開発を海外のエンジニアと連携して推進していただきます。
エネルギー効率や軽量化・スイッチングスピードで従来の半導体デバイスモジュールと大きな差を有する、SiCパワー半導体デバイスのモジュール化が現在の主な取り組みテーマであり、新技術や新製品の早期の市場投入に向けた設計開発体制を強化するための採用です。
- 応募資格
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- 必須
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パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関して以下の1から4の
いずれかの経験がある方
1.パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計・開発の経験
2.ファウウンドリーでのデバイス試作経験
3.デバイスシミュレーター（Synopsis Sentaurusなど）の使用経験
4.パワー半導体デバイスのパッケージ、モジュールの設計、開発の経験
- 歓迎
- 英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
- 雇用形態
- 正社員採用
- 勤務地
- 京都府京都市西京区
- 勤務時間
- 9：00-18：00
- 年収・給与
- 500万円 ～ 999万円
- 休日休暇
- 社会保険：健康保険、 厚生年金、 雇用保険、 労災保険 完備
