設計・開発エンジニア（半導体）
車載用パワーモジュールの設計開発（パワー半導体）/外資系企業の日本設計会社の募集
の転職・求人情報はすでに掲載終了しております。（掲載期間9月3日～10月28日）
※ 掲載時の募集要項はページ下部よりご確認いただけます。
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掲載時の募集要項（掲載期間：2025/09/03 ～ 2025/10/28）
設計・開発エンジニア（半導体）
車載用パワーモジュールの設計開発（パワー半導体）/外資系企業の日本設計会社の募集
外資系企業
ベンチャー企業
海外出張
英語力が必要
土日祝休み
募集要項
仕事内容
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パワー半導体デバイスを使った汎用・車載用パワーモジュールの設計開発を海外のエンジニアと連携して推進していただきます。
エネルギー効率や軽量化・スイッチングスピードで従来の半導体デバイスモジュールと大きな差を有する、SiCパワー半導体デバイスのモジュール化が現在の主な取り組みテーマであり、新技術や新製品の早期の市場投入に向けた設計開発体制を強化するための採用です。
応募資格
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- 必須
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パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関して以下の1から4の
いずれかの経験がある方
1.パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計・開発の経験
2.ファウウンドリーでのデバイス試作経験
3.デバイスシミュレーター（Synopsis Sentaurusなど）の使用経験
4.パワー半導体デバイスのパッケージ、モジュールの設計、開発の経験
- 歓迎
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英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
雇用形態
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正社員採用
勤務地
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京都府京都市西京区
勤務時間
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9：00-18：00
年収・給与
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500万円 ～ 999万円
休日休暇
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社会保険：健康保険、 厚生年金、 雇用保険、 労災保険 完備
会社概要
社名
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非公開
事業内容・会社の特長
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■当社は業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計会社です。
■業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計会社として2019年12月に設立
■電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
設立
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2019年12月
資本金
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3000万円
売上高
-
外資系企業の日本研究所ですので、売上は発生しません。
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