募集要項
- 仕事内容
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【業務内容】
高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けた、ファウンドリーとのデバイス試作をお任せします。
SiCパワー半導体デバイスのモジュール化が現在の主な取り組みテーマであり、新技術や新製品の早期の市場投入に向けデバイス試作（パッケージ/モジュール）を強化するための採用です。
また2022年からはGaN Projectもスタートし各々のWide Band Gap材料による特徴ある新機能性デバイスの設計・開発を行っていく。
- 応募資格
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- 必須
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パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関して以下の1から4のいずれか経験がある方
※経験者のみ募集
1.パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計・開発の経験
2.ファウウンドリーでのデバイス試作経験
3.デバイスシミュレーター（Synopsis Sentaurusなど）の使用経験
4.パワー半導体デバイスのパッケージ、モジュールの設計、開発の経験
- 歓迎
- 英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
- 雇用形態
- 正社員採用
- 勤務地
- 京都府京都市西京区
- 勤務時間
- 9：00-18：00
- 年収・給与
- 500万円 ～ 999万円
- 待遇・福利厚生
- 社会保険：健康保険、 厚生年金、 雇用保険、 労災保険 完備
- 選考プロセス
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休日：年間120日
(内訳)
完全週休二日制、土曜 日曜 祝日
