募集要項
- 募集背景
- SiパワーMOSの市場は競合も多いですが、今後も市場規模は成長していきます。パワーデバイスの当社というブランドを確立するため、確固たるシェアをとるべく、現在の開発案件や次世代の開発を加速させていきます。
- 仕事内容
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パワーMOSデバイス・プロセス開発エンジニアの募集です。【業務について】
SiパワーMOSのデバイス開発・設計、プロセス開発業務に従事していただきます。
部門間の関係性として、事業部門が製品売上に対する責任と権限をもっており、事業部門からの依頼という形でデバイス開発部門の我々が要求特性を満足するデバイス・プロセスを開発するという形をとります。
実際の業務内容としては、TCADを使ったデバイスシミュレーション、CADを使ったTEGマスク作製業務、滋賀工場でウェハプロセスフローを構築して試作ロットの流動、試作したウェハの電気特性評価、不良品の物理解析など、デバイス開発の前工程部分を一貫してご担当いただく予定です。ディスクリート製品では、開発の上流から下流までの業務を広く受け持つため、デバイス開発エンジニアとしてのスキルが一通り身に付きます。
守備範囲が広くなるので、ユーティリティな能力が必要と思われるかもしれませんが、解析やシミュレーション、ウェハプロセスの要素技術など、一定の高度なスキルが必要な業務については、保有スキルによって関係部署やメンバーで分業することで効率的に開発を進めています。
【就業環境】
・残業時間：月平均30時間程度
・リモートワーク：可 平均週1回程度 ※所属長が認めた場合可
- 応募資格
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- 必須
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・MOSFETの構造・動作特性の基本的な理解
・半導体プロセスの基本的な理解
- 歓迎
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・基礎的な電気回路の理解
・ウェハプロセス工場での開発業務
- 募集年齢(年齢制限理由)
- 特定年齢層の特定職種の労働者が相当程度少ないため （特定年齢層の特定職種の労働者が相当程度少ないため）
- フィットする人物像
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・主体的に業務に取り組む姿勢
・チャレンジ精神
・コミュニケーション能力
- 雇用形態
- 正社員
- ポジション・役割
- 担当／リーダー
- 勤務地
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京都市右京区
JR「西大路」より徒歩15分 阪急「西京極」より徒歩10分、「西院」より徒歩15分
滋賀県大津市
JR琵琶湖線石山駅より徒歩6分
- 勤務時間
- 8:15～17:15 （8時間 1時間休憩）
- 年収・給与
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500万円 ～ 849万円（参考）
※経験/年齢/能力等を考慮の上、当社規定により決定します。
※管理職になると1,000万円以上になります
- 待遇・福利厚生
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通勤手当；当社基準で支給
社会保険；健康保険、厚生年金、雇用保険、労災保険
- 休日休暇
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休日；週休2日制（土日）、祝日、夏期休暇、年末年始
その他休暇等；年次有給/慶弔/産前産後/育児休暇/介護休暇
- 選考プロセス
- 書類選考 → 一次面接／適性検査 → 二次面接
