募集要項
- 仕事内容
-
■IPS独自バッファー層を元にした単結晶圧電薄膜の研究開発を行って頂きます
【具体的には】
・次世代圧電材料の探索および量産化技術の開発
・PZT薄膜をはじめとする圧電材料の成膜プロセス開発・最適化
・材料特性評価（結晶構造、圧電特性、電気特性、信頼性評価など）
・大学・研究機関・企業との共同研究および技術開発プロジェクト推進
・研究成果の技術資料作成、学会発表、知的財産創出（特許出願等）
- 応募資格
-
- 必須
-
■以下すべてを満たす方
・結晶学、材料評価、表面分析に関する知識及び研究開発経験
・反応性スパッタリング薄膜開発経験
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 福岡県
- 勤務時間
- 08:30 - 17:30（コアタイム：00:00 - 00:00）
- 年収・給与
-
700万円～920万円(経験能力考慮の上優遇)
昇給1回、賞与2回
- 待遇・福利厚生
-
【保険】
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金
【諸手当】
残業手当（全額支給）、通勤手当（全額支給 ※公共交通機関／距離2km以遠対象）、家族手当（配偶者8，000円、子3，000円）、住宅手当（5，000円 ※住民票上の世帯主）等
【待遇・福利厚生】
退職金制度（3年以上在籍者を対象）、再雇用制度（65歳迄 定年：60歳）等
- 休日休暇
- 年間125日／（内訳）完全週休2日制（土・日）、夏期休暇、年末年始、有給休暇、慶弔休暇、年次有給休暇、特別有給休暇
