募集要項
- 仕事内容
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GaN基板製造の下地工程（種結晶＝シードの作製）におけるフォトリソグラフィ工程を中心に、プロセス改善・生産技術の確立をご担当いただきます。
【具体的には】
■プロセス開発・条件最適化
・GaN（窒化ガリウム）基板の製造プロセスにおける、フォトリソグラフィー工程やドライエッチング工程の条件検討及び最適化を行い、高品質なGaN基板を安定的に生み出す業務です。サファイア基板へのMOCVDによる薄膜形成後、プラズマCVDによるマスク形成、フォトレジスト塗布、パターニング、現像、ドライエッチング、レジスト除去までの一連の工程を扱います。マスクの形状・幅・高さ・材質はその後のHVP結晶成長の品質に直結するため、条件検討・最適化がこの技術の核心です。
■評価データ、プロセスデータの解析、解析技術の開発
・自ら作成したサンプルを評価・解析し、結果を製造プロセスへ反映させます。
・専門的な知見を活かした高度な解析が、世界最高水準の製品の品質向上に直結する重要な役割です。
■化合物半導体のエピタキシャル成長技術の開発、国内外の社外委託先検討及び技術開発
・MOCVD等による薄膜形成の経験も活かせる環境です。
- 応募資格
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- 必須
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※以下の全てを満たす方
■半導体・電子部品・化学・材料いずれかの業界における製造ないしは開発・生産技術の実務経験（目安3年以上）
■ 半導体材料のフォトリソグラフィ技術・成膜技術の専門知識
■下記のいずれかの実務経験（GaNに関する経験は尚可。最先端の知見は不問で、基礎的なプロセス技術があれば可）
・半導体材料（GaN、SiC、Si、サファイア、脆性材料等）のフォトリソグラフィプロセスの経験
・金属膜、酸化膜等の成膜技術（プラズマCVDやスパッタ等）
■理系のバックグラウンド（物理、化学、化学工学、材料科学、機械工学、電気・電子工学等）
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 茨城県
- 勤務時間
- 08:30 - 17:15（コアタイム：00:00 - 00:00）
- 年収・給与
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836万円～1289万円(経験能力考慮の上優遇)
昇給1回、賞与1回
- 待遇・福利厚生
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【保険】
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金
【諸手当】
通勤手当
【待遇・福利厚生】
通勤手当、住宅手当、寮、資格取得、社員持株、退職金制度
- 休日休暇
- 年間123日／（内訳）完全週休2日制（土日祝）、夏季休暇、年末年始、有給休暇、慶事休暇、産前産後休暇、育児休暇、介護休暇、特別休暇（忌引、結婚等）
