募集要項
- 募集背景
- 増員
- 仕事内容
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●世界トップシェアの製品を多数手がける日本重電メーカー【パソナキャリア経由での入社実績あり】【期待する役割】
●業界トップクラスの平均勤続年数20年！ワークライフバランス＆ダイバーシティ推進・長く安心して働くことができる企業風土
SiC/GaN等の次世代半導体材料を適用したパワーデバイスの研究開発業務をご担当頂きます。
物性的な研究とデバイス開発の両面で研究開発に貢献頂けるポジションです。
【業務概要】
■物性解析：電気的特性評価、分析的評価、計算技術等を用いたメカニズム解明
■プロセス開発：デバイス特性向上に向けたプロセス開発として、物理現象や材料特性をもとに検討、改善指針を構築
■デバイス設計・試作・評価：SiC.GaNを用いたパワーデバイス構造の検討、プロセス設計、試作、評価
【魅力】
■「材料・物性の研究」と「デバイス開発」を分断せず、一気通貫で携われることが魅力です。
SiC/GaNの材料特性や物理現象を解析し、「なぜこの特性になるのか」を解明するだけでなく、その知見をプロセス条件やデバイス構造へ落とし込み、実際に試作・評価まで行っていただきます。
■単なるプロセス条件の最適化ではなく、「材料の現象を理解する→デバイスに落とす→特性を確認する→さらに改善する」という研究開発サイクルを自ら回せるポジションです。
■「総合力」を強みとした技術基盤を保持しております。
長年シリコンデバイスを使用した製品開発を行ってきたバックボーンや、半導体デバイスを使用する側のパワエレ事業まで幅広い技術を保有しています。
■オープンイノベーションにも明るい姿勢の中で研究開発が可能です。
新研究・新開発にも積極的にチャレンジ頂ける環境の為、社外交流や社外発表への関わりも交えながらキャリアアップが可能な環境です。
【配属部門】
■技術開発本部 次世代半導体研究センター WBGデバイス研究部
【同社について】
＜同社について＞
■「発電・安定供給」を軸とした様々な事業セグメントを展開しています。
■インフラや産業設備向けが多く、景気変動に左右されにくい「安定性」と各セグメントの「総合力」で電力事業に大きく貢献できる点が強みです。
＜事業について＞
■エネルギー領域：再生可能エネルギーの最大出力化や安定供給、エンジニアリングサービスの一括提供により脱炭素社会の実現に貢献しています。また、受変電…
- 応募資格
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- 必須
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※下記いずれかのご経験※
■半導体材料または、そのプロセス技術の研究・開発経験
■半導体デバイスの構造、動作原理、電気的特性および特性評価技術に関する研究・開発経験
■基本的な半導体プロセスができ、パワーデバイス開発に必要なプロセスインテグレーションの知識を有する
■SiC.GaNパワーデバイスの設計、試作、評価等の開発経験
（次世代半導体のご経験は必須ではございません）
- 歓迎
- 応募資格をご覧下さい
- フィットする人物像
- 応募資格をご覧下さい
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 東京都日野市富士町1（東京工場）
- 勤務時間
- 09:00～17:30
- 年収・給与
- 600万円～1050万円
- 休日休暇
- 完全週休二日（土日） GW/夏季休暇/年末年始休暇/年次有給休暇/忌引き休暇/結婚休暇/配偶者出産休暇/転勤休暇/勤続休暇/介護休暇/看護休暇 等
