募集要項
- 募集背景
- 増員
- 仕事内容
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【期待する役割】
当社独自のGaN（窒化ガリウム）単結晶基板製造技術「SCAAT-LP（低圧酸性アモノサーマル法）」のリーダーとして、の液相法による結晶成長技術開発をリードしていただきます。
SCAATは、高温高圧の超臨界アンモニア中で結晶を成長させる液相成長法で、低欠陥・高品質なGaN基板を実現できる技術です。共同開発先の設備メーカーや国内外の会社、大学、研究機関とも連携しながら、量産化に向けた技術課題の解決を推進いただきます。
【業務内容】
液相成長（SCAAT）による化合物半導体単結晶基板の技術開発、および開発テーマの推進
（以下、ご経験に応じてご依頼する業務）
・チームメンバーの業務管理と育成
・共同開発先との技術協議・調整
＜ミッションテーマ例＞
・欠陥密度の低減、不純物の低減
・成長速度の制御、生産性・歩留まりの改善
・大口径化（6～8インチ）に向けた技術開発
・安定製造技術の確立と製造部門への技術移管
【募集背景】
GaNはパワー半導体デバイス材料として、MCCとして半導体分野の中でも戦略的に拡充していくべき技術領域であり、GaN基板事業の拡大・次世代製品の開発強化に伴う募集です。
【配属組織・働く環境】
配属部署では、HVPE法（気相成長）とSCAAT（液相成長）の両方式でGaN基板の研究開発を行う組織です。SCAATの開発は、関東事業所（筑波）（研究開発）、共同開発先の大型設備による拠点（実証）等で役割分担して進めており、本ポジションは関東事業所（筑波）の研究開発をとりまとめていただく予定です。キャリア入社者も多く、それぞれの専門性を活かして活躍しています。
【魅力】
・「GaN」基板の安定供給体制を構築するとともに、近年需要が増加するパワーデバイス用途に適用可能な６～８インチ基板の開発にも取り組んでいます。レーザーダイオード等のオプトエレクトロニクス用途、パワーエレクトロニクス用途、いずれも成長が続いており投資を継続しています。未来の社会を支える材料として重要な位置づけを持つ高品質な「GaN」基板の供給を通じ、燃費・発電効率向上といったエネルギーミニマム社会への貢献に携わることができます。<br…
- 応募資格
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- 必須
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■結晶成長（バルク単結晶・エピタキシャル成長など、手法・材料は問わない）に関する研究開発または生産技術の実務経験（5年以上）
■研究開発テーマまたはプロジェクトを中心となって推進した経験
- 歓迎
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●結晶成長、結晶工学、無機材料合成、生産技術、分析・物性いずれかを専攻された方
●結晶工学に関する分野の博士号、またはそれに準ずる結晶工学分野での学術経験（大学での研究テーマ、留学経験）
●半導体基板・化合物半導体・単結晶材料メーカーでの就業経験（3年以上）
●半導体基板の成長技術開発経験、結晶成長、結晶工学、無機材料合成、生産技術、分析・物性のいずれかの分野の研究開発経験、ソルボサーマル法による単結晶成長技術で複数の量産立ち上げ実績
- フィットする人物像
- 応募資格をご覧下さい
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 茨城県
- 勤務時間
- 08:30～17:15
- 年収・給与
- 850万円～1400万円
- 休日休暇
- 完全週休二日（土日） 土日、国民の祝日、年末年始、年次有給休暇、特別休暇（忌引、結婚等）、積立年次有給休暇 等
