募集要項
- 仕事内容
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【業界最大手の総合化学メーカー／高年収帯企業／同意のない転勤無し／引越費用負担／フルフレックス／就業環境◎】
◆業務概要：
次世代パワー半導体GaNは、EVやデータセンターの省エネ・小型化に不可欠なキーデバイスです。
当社は高品質かつ低コストな大口径GaN基板の安定供給を目指しています。
本ポジションでは、GaN基板製造の下地工程（種結晶＝シードの作製）におけるフォトリソグラフィ工程を中心に、プロセス改善・生産技術の確立をご担当いただきます。
＜担当業務項目＞
◇プロセス開発・条件最適化
GaN（窒化ガリウム）基板の製造プロセスにおける、フォトリソグラフィー工程やドライエッチング工程の条件検討及び最適化を行い、高品質なGaN基板を安定的に生み出す業務です。サファイア基板へのMOCVDによる薄膜形成後、プラズマCVDによるマスク形成、フォトレジスト塗布、パターニング、現像、ドライエッチング、レジスト除去までの一連の工程を扱います。
◇評価データ、プロセスデータの解析、解析技術の開発
◇化合物半導体のエピタキシャル成長技術の開発、国内外の社外委託先検討及び技術開発
◆ポジション魅力：
・世界を変える技術の最前線に立つ
GaNはEVやデータセンターなど、社会の基盤を支えるパワーエレクトロニクス分野で爆発的な普及が見込まれています。「次世代のインフラ」を社会へ実装する醍醐味を感じられるポジションです。
・「作る技術」をゼロから確立する面白さ
出来上がったマニュアル通りに動かすのではなく、「どうすればもっと効率よく、高品質に作れるか」を自ら考え、量産技術を創り上げていく醍醐味があります。
GaN組織は他社からのキャリア採用者も多く、多様なバックグラウンドのメンバーが在籍。本ポジションは技術継承と次世代育成の中核を担っていただく想定。
◆就業環境について：
・出張：頻繁ではないが有（国内外）
・テレワーク：週1
・残業：平均40時間程度（個人差あり、概ね30～40時間台）。繁忙の大きな波は少なめ。
- 応募資格
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- 必須
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◆必須条件：いずれか必須
・半導体材料（GaN、SiC、Si、サファイア、脆性材料等）のフォトリソグラフィプロセスの経験
・金属膜、酸化膜等の成膜技術（プラズマCVDやスパッタ等）
- 歓迎
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◆歓迎要件：
・化合物半導体の結晶成長技術（MOCVD等）の経験
・化合物半導体の評価技術、熱・流体・構造の計算機シミュレーションの経験
・将来的にチームを牽引するリーダー／マネジメントを志向される方（技術者でありながらマネジメントにも意欲のある方）
・英語力をお持ちの方
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
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茨城県
就業場所の変更の範囲：会社の定める事業所
- 勤務時間
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フレックスタイム制（フルフレックス）
休憩時間：60分（12:00～13:00）
時間外労働有無：有
8:30～17:15
- 年収・給与
- 836万円 ～ 1290万円
- 待遇・福利厚生
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通勤手当、寮社宅、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険、厚生年金基金、退職金制度
＜各手当・制度補足＞
通勤手当：通勤費補助制度（会社規定による）
寮社宅：独身寮、単身赴任寮あり
社会保険：社会保険完備
厚生年金基金：会社規定による
退職金制度：会社規定による
＜定年＞
65歳
＜教育制度・資格補助補足＞
■教育制度：
OJTによる指導により実際の業務の流れに沿って行います。その他専門教育もあります。
- 休日休暇
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完全週休2日制（休日は土日祝日）
年間有給休暇3日～21日（下限日数は、入社直後の付与日数となります）
年間休日日数121日
■公休日：土曜日、日曜日、国民の祝日、年末年始、その他
■休暇：年次有給休暇、特別休暇（忌引、結婚等）、積立年次有給休暇 等
- 選考プロセス
- 書類選考→1次面接→最終面接→内定
