設計・開発エンジニア(電子回路)
【マイクロンメモリジャパン】不揮発性メモリ設計エンジニア(NAND Designer)
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掲載期間:26/10/06~26/10/19求人No:JCQVN-98100
NEW設計・開発エンジニア(電子回路)

【マイクロンメモリジャパン】不揮発性メモリ設計エンジニア(NAND Designer)

マイクロンメモリジャパン株式会社
外資系企業 海外展開あり(日系グローバル企業) 大手企業 マネジメント業務なし 海外出張 海外折衝 英語力が必要 英語力不問 転勤なし 土日祝休み
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募集要項

仕事内容
次世代NANDフラッシュメモリの中核となる回路設計・最適化に携わり、 業界の新たな標準を築く高性能NAND製品の実現に直接貢献していただきます。
・NANDフラッシュメモリのベースダイ(Base Die)設計
・FINESIM、HSPICE、VERILOG などの業界標準EDAツールを用いた回路シミュレーション
・NANDフラッシュにおける タイミング(Timing)、面積(Area)、消費電力(Power)の解析および最適化
・新規NAND製品の開発に向けた、以下領域での設計・実装・最適化支援
・メモリ回路
・ロジック回路
・アナログ回路
・レイアウト設計との協業
応募資格
必須
・アナログ回路およびミックスドシグナル回路設計に関する高い専門性
・高性能メモリ開発において、 技術的課題に対し主体的に取り組み、革新的な解決策を生み出した実績
・優れた分析力、コミュニケーション能力、コラボレーション能力
・複雑で高度な技術内容を、明確かつ論理的に説明できる能力
歓迎
・NANDフラッシュメモリの動作原理および、 複数世代・複数種類のNANDフラッシュ製品に関する深い知識
・メモリ業界での実務経験
・修士号(MS)+5年以上、または同等の実務経験
・学士号(BS)+10年以上、または同等の実務経験
・チームワークを重視し、 主体的かつ粘り強く課題解決に取り組める優れたチームプレーヤー
・設計チームおよび検証(Verification)チームと密に連携し、 技術的整合性と開発実行力を支えられる協業力
雇用形態
正社員
試用期間 2カ月。その間の待遇・給与等は変わりません。
勤務地
広島工場(広島県東広島市吉川工業団地7-10)
※引越費用は、当社規定に基づき支給あり
※基本的に転勤なし
勤務時間
8:30~17:15(所定労働時間 7時間45分、休憩 60分)
年収・給与
年収:900万円 ~ 2,100万円
月給:63万~148万

※上記年収例には想定残業代を含みません。各種手当は別途支給されます。
待遇・福利厚生
・社会保険完備(雇用保険、労災保険、健康保険、厚生年金保険)
・通勤費全額支給
・退職給付制度
・財形貯蓄制度
・生命保険、損害保険などの団体契約
・カフェテリアプラン制度
・その他(パフォーマンスに応じた支給制度あり)ほか

<教育制度・資格補助補足>
階層別教育、各種専門教育、資格取得支援、英語学習支援、自己啓発支援、社外講習会 他、通信教育、語学教育については費用補助があります。
休日休暇
<年間休日>
121日

<休日・休暇>
・完全週休2日制(土、日)
・祝日休み
・年末年始休暇 
・GW休暇
・夏季休暇
・慶弔休暇 
・有給休暇 (22日)
・産前・産後休暇
・育児休暇
・介護休暇
・ファミリーフレンドリー休暇(家族の病気の際などに3日)
・結婚休暇 等
選考プロセス
・書類選考
・一次面接(人事、オンライン)
・二次面接(配属先部署、オンライン)

※選考状況により変更となる場合がございます。

会社概要

事業内容
最先端メモリ製品の開発、設計および生産
設立
1999 年 12 月 20 日
資本金
1億円
代表者名
野坂耕太、小野寺忠
従業員数
4,300名
事業所
広島工場/〒739-0198 広島県東広島市吉川工業団地7-10
ホームページ
https://jp.micron.com/
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