募集要項
- 募集背景
- 増員
- 仕事内容
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★★フラッシュメモリーカードで世界トップシェア企業の外資系企業★★【パソナキャリア経由での入社実績あり】下記業務をチームで分担します。
■Cell Device:
- 次世代フラッシュメモリ評価。特にセルアレイ動作電圧/タイミングの最適化と信頼性評価
- セルアレイ特性評価結果に基づいた製造プロセス改善への貢献
- セルアレイ特性の量産ばらつきに関する統計的解析
- セルアレイ特性評価テストプログラムの開発
- 初期故障（DPPM）改善のためのスクリーニング・テストの開発
- 電気的手法による故障解析
- 上記に関する海外拠点との協業
- 製品化のステアリング
■CMOS Device:
-次世代CMOS （トランジスタおよび受動素子）の電気的評価・解析
-次世代CMOS開発用TEG設計・Design Rule策定
-量産移管に向けたCMOS特性改善（信頼性改善、ばらつき改善など）
-CMOS起因の製品歩留改善のための電気的評価、Spotfire等を用いた統計データ解析
-DPPM（顧客・市場不良率）改善のためのスクリーニング・ストレステストの開発
-後工程拠点（海外）と前工程工場（国内）とのインターフェース業務
【期待する役割】
■3D NANDの製品・技術開発を担当頂きます。
■主に四日市の開発ラインで作られたウェハのメモリセル、およびそれを駆動する周辺回路やトランジスタを電気的に測定・解析し、プロセス開発、製品の性能・信頼性向上のための技術開発を行います。
■国内、海外他拠点を含むプロセス、テスト、設計等のチームとも仕事を分担して、共同で開発を行います。
【募集背景】
メモリの需要増及び新規メモリ開発の加速をさせるため増員いたします
【働き方】
■専門業務型裁量労働制
■1日のみなし労働時間／9時間
※標準的な勤務時間帯 9：00～17：30
■ハイブリッド勤務可（イメージ：原則出社、週1-2程度在宅）
■定年62歳、雇用延長65歳、役職定年無
■自動車通勤可能
【魅力】
・本社がシリコンバレーにあるため、世界の半導体に関する最先端の情報を、いち早く入手し、開発に生かすことができ…
- 応募資格
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- 必須
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■数年以上の半導体デバイス/不良解析/テストいずれかの経験
■英語での技術的な会話・技術レポート作成
- 歓迎
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■C, C++, Python, Java等のコンピュータ言語の深い知識と経験
■大規模データ分析の経験
■NANDフラッシュまたはDRAMデバイスでの業務経験
- フィットする人物像
- 応募資格をご覧下さい
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 神奈川県藤沢市桐原町１
- 勤務時間
- 09:00～17:30
- 年収・給与
- 500万円～1300万円
- 休日休暇
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完全週休二日（土日） 完全週休二日制（土日）、祝祭日、年末年始休暇※（各事業所カレンダーによる）、夏季特別休暇、GW休暇、慶弔休暇
※年次有給休暇：初年度は入社月によって2日－24日付与（翌年1月より24日付与）
※傷病休暇：年間5日（病気や怪我の際に使用可能）
