募集要項
- 仕事内容
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電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（Si-IGBT、SiC-MOSFET、GaNーHEMT）の企画/開発/設計業務をご担当いただきます。
【具体的には】
◆製品企画／仕様検討
・技術ニーズ調査
・技術動向調査
・目標仕様調整および設計
◆デバイス開発・設計
・デバイスシミュレーション
・構造検討およびレイアウト設計
・素子試作評価、分析解析、良品率改善
・素子検査、評価と素子開発品へのフィードバック
【業務のやりがい・魅力】
・パワー半導体のデバイス開発に関するスキルアップができます。特に、試作ラインを活用したウェハ試作・特性評価を通じて、机上検討だけでは得られない実践的なモノづくり力を身につけることができます。また、デバイスシミュレーション、構造設計、試作・評価まで一連の開発に携わりながら、製品全体を見据えた開発経験を積むことができます。
・素子開発部門にとどまらず、パワーモジュール開発部署、インバータ開発部署、量産工場など幅広い関係者と密接に連携しながら開発を推進します。前工程から後工程まで一気通貫で開発に携わることができ、多様な専門性を持つエンジニアと協働しながら製品価値を高めていく経験を積むことができます。
・魅力あるパワー半導体の企画・開発を通じて、世界中の顧客へ高品質な製品を提供しています。電動車向けだけでなく産業機器分野など幅広い用途への展開を見据えながら、地球温暖化の抑制や省エネルギー社会の実現に貢献できることが大きなやりがいです。また、デバイス単体ではなくモジュール・システムまで見据えた開発に携われることもデンソーならではの魅力です。
- 応募資格
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- 必須
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・半導体素子の設計および開発経験または知識をお持ちの方（目安：3年以上）
※パワー半導体の経験有無は問いません
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 愛知県
- 勤務時間
- 08:40 - 17:40（コアタイム：10:10 - 14:25）
- 年収・給与
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550万円～1430万円(経験能力考慮の上優遇)
昇給1回、賞与2回
- 待遇・福利厚生
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【保険】
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金
【諸手当】
通勤手当、家族手当、時間外手当 など
※手当支給には会社規定の条件があります。
- 休日休暇
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／（内訳）完全週休2日制（土日）、夏季休暇、年末年始、有給休暇、慶事休暇、産前産後休暇、育児休暇、介護休暇
※GW・夏季・年末年始各10日程
※やすらぎ休暇、リフレッシュ休暇、子の看護休暇、ボランティア休暇など
