募集要項
- 仕事内容
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■SiCパワーデバイスのイオン注入または拡散工程のプロセス開発やプロセスインテグレーション開発部門と連携しながら、次世代SiCデバイスのコア技術の構築を担当していただきます。
【具体的には】
（1） 既設装置を用いた評価・データ分析
a) 既存のイオン注入装置・拡散炉を用いた試作評価
b) 電気特性、プロセスデータ、不良解析結果などの整理・分析
c) 評価結果に基づく課題抽出、プロセス条件の改善検討
（2）新規装置・新規プロセスの立ち上げ
a) 新規イオン注入装置・拡散炉の装置仕様確認、搬入、立ち上げ対応
b) 装置メーカーや社内関連部門と連携した条件出し、評価、量産適用検証
c) 安定稼働に向けた作業手順、管理項目、工程条件の整備
（3） 次世代SiCデバイス向けウエハプロセス開発
a) 次世代SiCデバイスに求められるイオン注入工程・拡散工程のプロセス条件構築
b) デバイス特性向上、歩留まり改善、量産性向上に向けたプロセス最適化
c) プロセスインテグレーション開発部門や製造部門と連携した課題解決、開発テーマの推進
入社後は、既存プロセスの評価・分析や新規装置立ち上げを通じて工程理解を深めていただき、将来的には担当工程のプロセス開発を主体的に推進し、次世代SiCパワーデバイスの実用化・量産化に貢献いただくことを期待しています。
- 応募資格
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- 必須
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・半導体もしくは電子部品の製造プロセスにおいて、
「製造条件の調整・改善」「プロセスの要素技術開発」「装置の立ち上げ、ラインの立ち上げ」いずれかのご経験をお持ちの方
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 熊本県
- 勤務時間
- 08:30 - 17:00
- 年収・給与
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500万円～900万円(経験能力考慮の上優遇)
昇給1回、賞与2回
- 待遇・福利厚生
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【保険】
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金
【諸手当】
通勤手当、扶養手当、など
【待遇・福利厚生】
寮・社宅、財形貯蓄、社員持株、家賃補助制度、住宅融資、社員互助会、契約リゾート施設、スポーツ施設など
- 休日休暇
- 年間131日／（内訳）土曜/日曜/祝日、夏季休暇、年末年始、GW
