募集要項
- 募集背景
- 非公開情報も含むため、詳しくは求人紹介時に担当コンサルタントよりご案内いたします。
- 仕事内容
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株式会社デンソーでの募集です。一緒にSiC、GaNパワー半導体の研究開発に取組み、世界の電動化をリード、新しいモビリティの付加価値を創出していく、チャレンジ意欲がある人材を求めています！
電子デバイス研究開発のご経験のある方は歓迎です。
■業務内容
SiC、GaNパワー半導体（SiC MOSFET、縦型GaN MOSFET、横型GaN HEMT）のデバイスおよびプロセスに関する研究開発。SiCエピおよびGaNウェハ技術の研究開発。
・パワーデバイスの企画、技術動向調査
・パワーデバイスのデバイスシミュレーション設計、構造設計、レイアウト設計
・パワーデバイスのプロセスシミュレーション設計、プロセス要素技術開発
・パワーデバイスのプロセスインテグレーション、工程設計
・パワーデバイス試作品のテスト、分析、評価解析
・パワーデバイス用ウェハ（GaN基板、SiCエピ成長）の技術開発
・パワーデバイス用加工装置の導入および改造
※株式会社デンソーの社員として株式会社ミライズ テクノロジーズ（https://www.mirise techs.com/）に出向いただきます。
【業務のやりがい・身につくスキル】
・SiC、GaNパワー半導体に関する世界トップレベルのデバイス・プロセス技術が身につきます。
・CAE／CAD設計から試作・評価・解析までを一貫して経験でき、実践力を養うことができます。
・自分たちで考えたデバイスを設計でき、専用の開発試作ラインでプロセス開発に思う存分チャレンジでき、試作品の評価解析まで一連の開発サイクルを回しながら研究開発を行えます。
・社内外の専門家、大学、研究機関との連携/協働を通じ、専門性の深化、先端研究の実施と技術領域の拡張が可能になります。
・素子開発にとどまらず、パワーモジュール、インバータ開発部署、車両メーカと連携しながら広い視野で開発を進める事ができます。
・地球温暖化の抑制という社会課題解決に貢献でき、やりがいを感じられます。
【職場情報】
当部署は、電動車の商品力を左右する中核コンポーネントであるSiC・GaNパワー半導体について、デバイスの企画・設計からプロセス加工技術開発までを一貫して担っています。低損失・高品質を兼ね備えたパワー半導体を、他社に先駆けて実用化す…
- 応募資格
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- 必須
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MUST要件
・半導体に関する知識を有すること
・半導体デバイスの設計、評価、プロセスインテグレーション、プロセス加工技術の開発経験（研究開発、量産経験は問いません）
WANT要件
・パワー半導体に関する知識を有すること
・半導体デバイス設計、プロセスインテグレーション、プロセス加工技術の開発経験（3年以上）
・半導体加工設備の導入および改造経験
・プロジェクトマネージャ、リーダまたはサブリーダの経験者
- フィットする人物像
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JAC Recruitmentでは、担当コンサルタントが直接企業へ訪問。だからお伝えできることがあります。
面談の際に、採用担当者からお聞きした情報やコンサルタント自身が感じた選考のポイントを皆さまへお届けします。
- 雇用形態
- 無期雇用
- 勤務地
- 愛知県
- 勤務時間
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【就業時間】08:40 ～ 17:40
【労働時間制等】通常の労働時間制
- 年収・給与
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【年収】500万円 - 1500万円
- 待遇・福利厚生
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【通勤手当】一部支給 規定に準じて支給有り
【社会保険】健康保険
厚生年金
雇用保険
労災保険
- 休日休暇
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【有給休暇】有給休暇は入社時から付与されます
入社7ヶ月目には最低10日以上
【休日】完全週休二日制
有給休暇：初年度は入社月により1～10日付与（入社半年後には10日以上付与）
その他 やすらぎ休暇、リフレッシュ休暇、子の看護休暇、介護休暇、ボランティア休暇など
