募集要項
- 仕事内容
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■酸化物半導体デバイスの開発、酸化物半導体デバイスを用いた新規メモリ（低消費電力DRAM）の開発を担当していただきます。
【具体的には】
・デバイス特性の原理構築（物理の解明）：酸化物半導体メモリの基本動作特性を物理層から解明し、メモリ素子としての動作を確立
・酸化物半導体素子のモデル化と最適化：TCAD解析を用いた高度なシミュレーションと試作結果の突合による素子構造／プロセスの最適化
・デザインルールの策定（設計ルール定義）：将来の量産を見据え、安定的なデバイス構造の考案と設計ルールの定義
・グローバルプレゼンスの確立：ISSCCやIEDMなどの国際学会を見据えた、世界最先端のテクニカルデータの創出
※ステークホルダー／関係者：先端技術研究所内やその関係部署のプロセス開発、回路設計、信頼性評価、プロジェクトマネージャーと密に連携しています。研究開発と製品化の橋渡しを担う、非常に裁量の大きな環境です。
【使用ツール】
・電気特性測定：DCテスター、メモリテスター
・物理・故障解析：発光解析装置
・データ解析・可視化：統計的解析ツール（Spotfire）
・自動化・高度解析：Python
- 応募資格
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- 必須
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※下記いずれか必須
■酸化物半導体の知見
■酸化物半導体を用いたデバイス開発の経験、知見
■酸化物半導体を用いたメモリ開発の経験、知見
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 三重県
- 勤務時間
- 08:30 - 17:15（コアタイム：00:00 - 00:00）
- 年収・給与
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550万円～1260万円(経験能力考慮の上優遇)
昇給1回、賞与2回
- 待遇・福利厚生
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【保険】
健康保険、雇用保険、労災保険
【諸手当】
次世代育成手当（18歳未満の扶養対象児童一人あたり15，000円／月）、住宅費補助、通勤手当(規定による)、時間外勤務手当、在宅勤務手当、残業代全額支給等
【待遇・福利厚生】
独身寮、単身寮、家族社宅、在宅勤務制度、財形貯蓄制度、企業年金制度
- 休日休暇
- 年間125日／（内訳）完全週休2日制（土日）、祝日、GW、夏季、年末年始、有給、育児休暇、介護休暇、赴任休暇 等
