募集要項
- 仕事内容
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【業務概要】
プロセス研究開発部では、半導体デバイス製造用のプラズマエッチング装置にかかわる様々な研究開発を行っています。その中で、半導体製造用プラズマエッチング装置におけるプロセス開発および海外パートナー企業との共同開発を担当いただきます。
国内外のパートナー企業と連携しながら、次世代半導体製造プロセスの実現に向けた技術開発を推進していただきます。
パートナー企業のもつ成膜技術と、同社のエッチング技術を統合し最適化することで、新しい技術を生み出すことが出来る点が業務の魅力です。
【業務詳細】
主な業務は以下の通りです。
■最先端半導体デバイス向けエッチングプロセスの開発
■成膜プロセスとエッチングプロセスの統合最適化検討
■パートナー企業との技術協議、開発テーマ推進
■エッチング装置や各種分析装置を用いた実験・評価
■開発結果の報告、新規開発テーマの提案
■学会発表 等
＜業務キーワード＞
※下記に関連する業務経験・知見をお持ちの方は大歓迎です。
プラズマ/エッチング/イオン/粒子/流体/マイクロ波/高周波/真空/CVD/スパッタリング（スパッタ）/リソグラフィー/有機・無機材料/セラミック/シリコン/シーケンス制御/シュミレーション/SEM観察/XPS・FT-IR分析
【製品について】
エッチング装置は半導体デバイスの製造プロセスに使われる装置です。
同社が開発する「ドライエッチング装置」は高真空反応性プラズマを利用します。真空容器内で各種のプロセスガスをプラズマ化し、化学反応と加速したイオンで薄膜を削って除去します。
同社が製造・販売するプラズマエッチング装置は、AIチップに代表される最先端の半導体デバイスの微細加工に貢献しています。
同社エッチング装置の特徴としてはECR（Electron Cyclotron Resonance、電子サイクロトロン共鳴）という技術を用いています。低圧で高密度なプラズマが生成でき、ダメージが少なく微細な加工が可能という特長があります。ECRを用いたエッチング装置を手がけているメーカは少なく、同社はその中で高いシェアを維持しております。
【配属先】
プロセスシステム製品本部 プロセス研究開発部 国分寺サイト
- 応募資格
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- 必須
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【必須条件】
材料、物理、化学のいずれかの技術バックグラウンドをお持ちで、以下いずれかを満たす方
■半導体製造プロセスまたは半導体製造装置に関する実務経験
■プラズマエッチングまたは成膜プロセス（CVD、ALD等）いずれかに関する知識・経験（大学での研究でも可）
【歓迎条件】
■英語による技術的なコミュニケーションに抵抗がない方
■技術課題の分析・評価および実験計画立案の経験
■エッチングプロセス開発およびエッチングメカニズム解析(SEM、膜厚計などの分析・計測)の経験
■成膜プロセス（ALD、CVD、PVD等）の開発経験
■ロジック・メモリなど半導体デバイス構造に関する知識
■成膜・エッチングの統合プロセス開発経験
■シミュレーションを用いたプロセス解析経験
■学会発表や論文投稿の経験
■海外企業との技術協議・折衝経験
【求める人物像】
■明るく、積極的で、コミュニケーション能力が高い方(社外協業における議論を担当するため)
■半導体プロセス技術に対する高い探究心を持ち、新しい技術開発に主体的に挑戦できる方
■技術的な議論や課題解決を通じて、関係者を巻き込みながらプロジェクトを前進させることができる方
■技術への探求心をお持ちで要素技術開発など未来の製品づくりに興味のある方
■異なる専門分野のエンジニアと協力し、多角的な視点で課題解決に取り組める方
■グローバルな環境での協業に関心があり、英語でのコミュニケーションにも前向きに取り組める方
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 東京都
- 年収・給与
- 519～1000万円
