募集要項
- 仕事内容
-
次世代パワー半導体・窒化ガリウム(GaN)の気相法による結晶成長技術開発を担当。大口径・低欠陥・低抵抗な次世代基板の新製品開発を中心に、既存製品の歩留まり改善やプロセス最適化まで推進します。【詳細】■新製品の結晶成長技術開発(大口径化・低欠陥化・低抵抗化を図るプロセス構築)■既存製品の歩留まり改善・品質安定化(原因解析からプロセス改善まで一気通貫対応)■装置・評価仕様検討
【魅力】世界の誰も到達していない技術領域に挑み、自らの開発成果が製品として社会を動かす大きな手応えを得られます。基礎検討から量産化、社内加工・デバイス部門との連携まで広く関われる環境です。
- 応募資格
-
- 必須
-
【必須】■化合物半導体の結晶成長技術開発、もしくは結晶成長・薄膜成長に関連する技術開発の経験
【歓迎】■GaN(窒化ガリウム)の結晶成長技術開発、ウエハ加工等の経験(即戦力として特に歓迎)
【特徴】国内最大の総合化学メーカー。世界トップ級のGaN技術や医療分野等の多角的な強みを持ち、現在は石油化学事業メインから「グリーン・スペシャリティ」へ転換する歴史的変革期となります。1.4兆円規模の投資を行う成長性もありつつ、手厚い福利厚生が共存。65歳定年制、キャリアチャレンジ制度や勤務地自己申告制度など、ライフプランにあわせて働き方も相談でき、長く安定して働くことのできる環境となります。
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 茨城県牛久市
- 年収・給与
-
想定年収749～1399万円
月給￥436,000～￥808,000 基本給￥436,000～￥808,000を含む/月
■賞与実績:年2回
- 休日休暇
- 年間休日121日
- 選考プロセス
- 面接回数2回
