募集要項
- 仕事内容
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プロセスエンジニアとして、次世代3D NANDデバイスにおける超高アスペクト比構造向けの先端クライオエッチングプロセスの開発および最適化を担当します。
新規エッチングチャンバー、ハードウェア構成、ガスケミストリーの評価を行い、プロファイル制御、CD均一性、選択比、欠陥低減などの重要な性能指標の向上を推進します。
本ポジションでは、日本から米国フリーモント拠点のデモ装置をリモート操作し、実験データの解析やプロセス改善のための迅速なイテレーションを実施します。また、グローバルのプロセスエンジニアリングチームおよびハードウェアエンジニアリングチームと密接に連携し、プラズマ挙動、エッチングメカニズム、装置設計への理解を深めながら、顧客向けプロセス開発活動を支援します。さらに、技術的な分析結果や知見をプレゼンテーションとして提供し、革新的な半導体製造ソリューションの実現に貢献します。
■主な業務内容
- 先端3D NANDデバイスにおける超高アスペクト比構造向けクライオエッチングプロセスの開発および最適化を行う。
- 新規エッチングハードウェア、チャンバー構成、ガスケミストリーを評価し、プロファイル制御、CD均一性、選択比、欠陥性能の向上を推進する。
- デモ装置をリモート操作し、取得データの解析を通じて、迅速なプロセス改善および継続的な最適化を実施する。
- グローバルのプロセスエンジニアリングチームおよびハードウェアエンジニアリングチームと協力し、プラズマ挙動、エッチングメカニズム、設計改善に関する調査を行う。
- 次世代デバイスの要求仕様に対応するため、技術分析、プレゼンテーション、ソリューション提案を通じて顧客のプロセス開発を支援する。
- 応募資格
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- 必須
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・材料科学、化学工学、化学、物理学、または関連分野の修士号を取得し、3年以上の実務経験を有する方、または博士号取得者（実務経験不問、もしくは同等の経験を有する方）。
・実験室環境および半導体製造装置を用いた実務経験を有する方（表面処理、分析技術を含む）。
・統計的工程管理（SPC：Statistical Process Control）および／または実験計画法（DOE：Design of Experiments）に関する深い理解を有する方。
・MATLAB、Pythonなどの科学技術計算・プログラミングツールを活用できる方。
・統計解析および問題解決手法に関する知識を有し、JMPやMinitabなどの解析ツールの使用経験がある方。
・ALD、CVD、PECVD、PVDなどの薄膜形成・成膜技術に関する知識または経験を有する方。
・材料合成および材料評価・解析技術に関する知識を有する方。
・半導体顧客との技術的な折衝経験、およびプロセス開発・技術開発活動の支援経験を有する方。
・日本語能力N2レベル以上を有する方。
- 歓迎
- ・基礎的な英語または日常会話レベルの英語でコミュニケーションが可能な方。
- 雇用形態
- Full Time / 正社員
- 勤務地
- 神奈川県,愛知県,広島県
- 勤務時間
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9:30～17:30（実働7時間）
リモートワーク：週2日可能（ハイブリッド勤務
- 年収・給与
- 550万円～1499万円
- 待遇・福利厚生
- Employment Insurance / 雇用保険,Industrial Accident Compensation Insurance / 労災保険,Employees' Pension Insurance / 厚生年金保険,Employees' Health Insurance / 健康保険
- 休日休暇
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年間休日125日
完全週休2日制（土日休み）
有給休暇：12日～20日（職位に応じて付与）
【その他】
日本国外在住で応募条件を満たす方には、ビザサポートおよび引越し支援あり
